[发明专利]传感器装置有效
| 申请号: | 201480081714.8 | 申请日: | 2014-09-16 |
| 公开(公告)号: | CN106605128B | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
| 发明(设计)人: | 松本昌大;中野洋;柳川善光;小田部晃 | 申请(专利权)人: | 日立汽车系统株式会社 |
| 主分类号: | G01D21/00 | 分类号: | G01D21/00;H01L21/822;H01L27/04 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 传感器 装置 | ||
1.一种传感器装置,其包括:
对与物理量相应的信号进行处理的信号处理电路;
输出由所述信号处理电路处理后的输出信号的输出端子;以及
对所述信号处理电路提供电源的电源端子和接地端子,
所述传感器装置的特征在于,还包括:
连接于所述输出端子与所述信号处理电路之间的电阻元件;
连接于所述电阻元件的信号处理电路侧与接地端子之间的电容元件;和
连接于所述输出端子与接地端子之间的彼此反向地串联连接的二极管元件。
2.如权利要求1所述的传感器装置,其特征在于:
所述二极管元件的齐纳电压比所述电阻元件的对地耐压低,且比因电波照射引起的输出端子的变动电压高。
3.如权利要求1所述的传感器装置,其特征在于:
所述信号处理电路、所述电阻元件、所述二极管元件和所述电容元件配置在同一集成电路中。
4.如权利要求1所述的传感器装置,其特征在于:
所述彼此反向地串联连接的二极管元件具有横向晶体管构造。
5.如权利要求4所述的传感器装置,其特征在于:
在所述横向晶体管构造的发射极区域中配置低浓度层。
6.如权利要求1所述的传感器装置,其特征在于:
所述彼此反向地串联连接的二极管元件具有衬底晶体管构造。
7.如权利要求6所述的传感器装置,其特征在于:
在所述衬底晶体管构造的发射极区域中配置低浓度层。
8.如权利要求1所述的传感器装置,其特征在于:
所述电阻元件由设置在绝缘膜上的多晶硅薄膜、硅化物薄膜、金属薄膜、单晶硅薄膜中的任意一种薄膜构成。
9.一种接收装置,其包括:
用于输入来自外部的输入信号的输入端子;
处理所述输入信号的信号处理电路;以及
用于对所述信号处理电路提供电源的电源端子和接地端子,
所述接收装置的特征在于,包括:
连接于所述输入端子与所述信号处理电路之间的电阻元件;
连接于所述电阻元件的信号处理电路侧与接地端子之间的电容元件;和
连接于所述输入端子与接地端子之间的彼此反向地串联连接的二极管元件。
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