[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置

说明书

本发明涉及的半导体装置的制造方法的特征在于，具有下述工序：催化剂工序，在由例如硅等形成的半导体衬底的表面析出催化剂金属；氧化物去除工序，将在该催化剂工序中形成于该半导体衬底的表面处的氧化物去除；追加催化剂工序，在通过该氧化物去除工序而露出的该半导体衬底的表面处析出催化剂金属；以及镀敷工序，在该追加催化剂工序之后，通过无电解镀敷法，在该半导体衬底的表面形成金属膜。

技术领域

本发明涉及一种通过无电解镀敷法形成用作电极等的金属膜的半导体装置的制造方法、以及通过该方法制造出的半导体装置。

背景技术

在对半导体衬底实施无电解镀敷处理的情况下，必须事先在半导体衬底形成催化剂金属。

在专利文献1中公开了下述内容，即，将半导体衬底浸渍于使溶解氧小于或等于0.2[ppm]的催化剂金属溶液，一边抑制半导体衬底表面的氧化一边析出催化剂金属。

在专利文献2中公开了下述内容，即，将硅衬底浸渍于包含氢氟酸和氟化铵的催化剂金属溶液，一边去除表面的氧化物一边析出催化剂金属。

在专利文献3中公开了下述内容，即，在硅衬底的非通孔之中形成催化剂金属，形成密接性高的无电解镀膜(金属膜)。

专利文献1：日本特开平10-294296号公报

专利文献2：日本特开2005-336600号公报

专利文献3：日本专利第5261475号公报

发明内容

在对半导体衬底赋予催化剂金属时，有时由于金属离子进行金属化的还原反应，半导体衬底表面发生氧化。由于所生成的氧化物，导致无法对半导体衬底赋予充分的催化剂金属，或者镀膜的密接性降低。

根据在专利文献1中公开的方法，由于降低了催化剂金属溶液的溶解氧量，因此能够抑制由催化剂金属溶液中的氧导致的半导体衬底的氧化。但是，伴随催化剂金属的还原析出而发生的半导体衬底的氧化现象与催化剂金属溶液的溶解氧量没有关系，因此无法得到抑制。因此，通过在专利文献1中公开的方法，无法抑制氧化物的生成。

根据在专利文献2中公开的方法，由于能够在将半导体衬底浸渍于催化剂金属溶液的过程中将氧化物去除，因此能够降低半导体衬底表面的氧化物量。但是，如果使用加入有氢氟酸类溶液的催化剂金属溶液，则无法向半导体衬底赋予充分的量的催化剂金属。因此，在专利文献2所公开的方法中，存在下述问题，即，镀膜的面内均匀性差，或者发生形态异常，或者局部地未形成镀层。

在专利文献3所公开的方法中，由于将半导体衬底浸渍于含有氟化物离子的催化剂金属溶液，因此存在无法对半导体衬底赋予充分的量的催化剂金属的问题。

本发明就是为了解决上述的问题而提出的，其目的在于提供一种能够对半导体衬底赋予充分的量的催化剂金属，通过无电解镀敷法形成良好的金属膜的半导体装置的制造方法及半导体装置。

本发明涉及的半导体装置的制造方法的特征在于，具有下述工序：催化剂工序，在半导体衬底的表面析出催化剂金属；氧化物去除工序，将在该催化剂工序中形成于该半导体衬底的表面处的氧化物去除；追加催化剂工序，在通过该氧化物去除工序而露出的该半导体衬底的表面处析出催化剂金属；以及镀敷工序，在该追加催化剂工序之后，通过无电解镀敷法，在该半导体衬底的表面形成金属膜。

本发明涉及的半导体装置的特征在于，具有：半导体衬底；催化剂金属，其形成于该半导体衬底之上；以及金属膜，其在该催化剂金属之上由金属或者合金形成，该催化剂金属的厚度为1～200nm，在该催化剂金属处、在该催化剂金属与该半导体衬底的界面处含有1～10atom％的氧。

本发明的其他特征在下面加以明确。

发明的效果