[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置有效
| 申请号： | 201480081636.1 | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN106663615B | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 西泽弘一郎;清井明 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：
催化剂工序，在半导体衬底的表面析出催化剂金属；
氧化物去除工序，将在所述催化剂工序中形成于所述半导体衬底的表面处的氧化物去除；
追加催化剂工序，在通过所述氧化物去除工序而露出的所述半导体衬底的表面处析出催化剂金属；以及
镀敷工序，在所述追加催化剂工序之后，通过无电解镀敷法，在所述半导体衬底的表面形成金属膜。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述镀敷工序之前，具有将在所述追加催化剂工序中形成于所述半导体衬底的表面处的氧化物去除的工序。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述追加催化剂工序之后、所述镀敷工序之前，实施大于或等于1次追加处理，该追加处理是指，将所述半导体衬底的表面的氧化物去除，然后在所述半导体衬底的表面析出催化剂金属。
4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述追加处理之后、所述镀敷工序之前，具有将所述半导体衬底的表面的氧化物去除的工序。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述催化剂工序之后、所述氧化物去除工序之前，具有形成所述催化剂金属与所述半导体衬底的固溶体的工序。
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述半导体衬底的材料为Si，
作为所述催化剂金属，使用Pd、Pt、Ni、Co中的任意一者或者多者。
7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述半导体衬底的材料为SiC，
作为所述催化剂金属，使用Pd、Au、Ni、Co中的任意一者或者多者。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述催化剂工序和所述追加催化剂工序中，将所述半导体衬底浸渍于不包含氢氟酸类溶液的催化剂金属溶液。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
将氢氟酸类溶液用于所述氧化物的去除。
10.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述催化剂工序和所述追加催化剂工序中，将所述半导体衬底浸渍于大于或等于5℃且小于或等于25℃的催化剂金属溶液。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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