[发明专利]层叠膜和柔性电子器件

说明书

技术领域

本发明涉及一种层叠膜和柔性电子器件。

背景技术

为了对膜状的基材赋予功能性，已知在基材的表面形成(层叠)了薄膜层的层叠膜。例如，通过在塑料膜上形成薄膜层而赋予了气体阻隔性的层叠膜适合于饮品和食品、化妆品、洗涤剂等物品的填充包装。近年来，提出了在塑料膜等基材膜的一个表面上形成氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝等无机氧化物的薄膜而得到的层叠膜。

作为在塑料基材的表面上形成无机氧化物的薄膜的方法，已知真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等物理气相沉积法(PVD)、或减压化学气相沉积法、等离子体化学气相沉积法等化学气相沉积法(CVD)等成膜法。

而且，在专利文献1和专利文献2中，记载了通过上述的方法形成了氮化硅、氧氮碳化硅等薄膜层的气体阻隔性的层叠膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-231357号公报

专利文献2：日本特开2005-219427号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，在上述的气体阻隔性的层叠膜上进一步形成了透明导电层等具有其它功能的层时，粘附性不足。

本发明鉴于上述情况而作出，其课题在于提供一种气体阻隔性的层叠膜，其在保持光学特性和耐弯曲性的同时，与透明导电层的粘接优异。

用于解决课题的手段

为了解决上述课题，

本发明提供一种层叠膜，其具有挠性基材和形成在上述基材的至少一个表面上的至少1层薄膜层，其中，

上述薄膜层中，至少1层满足全部下述条件(i)和(ii)：

(i)含有硅原子(Si)、氧原子(O)和氮原子(N)；

(ii)对薄膜层的表面进行X射线光电子能谱测定时，由宽扫描能谱计算出的碳原子相对于硅原子的原子数比满足由下述式(1)表示的条件：

0<C/Si≤0.2(1)

本发明的层叠膜中，优选：相对于满足上述条件(i)和(ii)的薄膜层中包含的硅原子、氧原子、氮原子和碳原子(C)的合计数，硅原子数的平均原子数比在0.1～0.5的范围内，氧原子数的平均原子数比在0.05～0.5的范围内，氮原子数的平均原子数比在0.4～0.8的范围内，碳原子数的平均原子数比在0～0.05的范围内。

本发明的层叠膜中，优选满足上述条件(i)和(ii)的薄膜层的折射率在1.6～1.9的范围内。

本发明的层叠膜中，优选：满足上述条件(i)和(ii)的薄膜层的厚度为80nm以上，从满足上述条件(i)和(ii)的薄膜层的表面起朝向满足上述条件(i)和(ii)的薄膜层内部在厚度方向上到40nm为止的深度的范围内含有硅原子和氧原子，氮原子相对于硅原子的原子数比在下述式(2)的范围内。

N/Si≤0.2(2)

优选：满足上述条件(i)和(ii)的薄膜层的厚度为80nm以上，从满足上述条件(i)和(ii)的薄膜层与基材或其它薄膜层的界面起朝向满足上述条件(i)和(ii)的薄膜层内部在厚度方向上到40nm为止的深度的范围内含有硅原子和氧原子，氮原子相对于硅原子的原子数比在下述式(3)的范围内。

N/Si≤0.2(3)

本发明的层叠膜中，优选：对满足上述条件(i)和(ii)的薄膜层进行红外光谱测定时，存在于810～880cm^-1的峰强度(I)与存在于2100～2200cm^-1的峰强度(I’)的强度比在下述式(4)的范围内。

0.05I’/I≤0.20(4)

本发明的层叠膜中，优选满足上述条件(i)和(ii)的薄膜层通过感应耦合等离子体CVD法形成。

另外，优选使用本发明的层叠膜作为基板的柔性电子器件。

发明效果

根据本发明，可以提供一种气体阻隔性的层叠膜，其在保持光学特性和耐弯曲性的同时，与透明导电层的粘接优异。本发明的层叠膜可以作为柔性电子器件的基板使用，在工业上极为有用。

附图说明

图1为用于制作本实施方式的层叠膜的感应耦合型等离子体CVD装置的一例。

图2为表示由实施例1得到的层叠膜1中的薄膜层的硅分布曲线、氮分布曲线、氧分布曲线和碳分布曲线的图。

具体实施方式

[层叠膜]

本发明所涉及的层叠膜是上述层叠膜。