[发明专利]层叠膜和柔性电子器件

权利要求书

1.一种层叠膜，其具有挠性基材和形成在所述基材的至少一个表面上的至少1层薄膜层，其中，

所述薄膜层中，至少1层满足全部下述条件(i)和(ii)：

(i)含有硅原子(Si)、氧原子(O)和氮原子(N)；

(ii)对薄膜层的表面、即更远离基材的面进行X射线光电子能谱测定时，由宽扫描能谱计算出的碳原子相对于硅原子的原子数比满足由下述式(1)表示的条件：

0<C/Si≤0.2(1)，

满足所述条件(i)和(ii)的薄膜层的厚度为80nm以上，从满足所述条件(i)和(ii)的薄膜层的表面起朝向满足所述条件(i)和(ii)的薄膜层内部在厚度方向上到40nm为止的深度的范围内含有硅原子和氧原子，氮原子相对于硅原子的原子数比在下述式(2)的范围内，

N/Si≤0.2(2)。

2.根据权利要求1所述的层叠膜，其中，相对于满足所述条件(i)和(ii)的薄膜层中包含的硅原子、氧原子、氮原子和碳原子(C)的合计数，硅原子数的平均原子数比在0.10～0.50的范围内，氧原子数的平均原子数比在0.05～0.50的范围内，氮原子数的平均原子数比在0.40～0.80的范围内，碳原子数的平均原子数比在0～0.05的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的层叠膜，其中，满足所述条件(i)和(ii)的薄膜层的折射率在1.6～1.9的范围内。

4.根据权利要求1或2所述的层叠膜，其中，满足所述条件(i)和(ii)的薄膜层的厚度为80nm以上，从满足所述条件(i)和(ii)的薄膜层与基材或其它薄膜层的界面起朝向满足所述条件(i)和(ii)的薄膜层内部在厚度方向上到40nm为止的深度的范围内含有硅原子和氧原子，氮原子相对于硅原子的原子数比在下述式(3)的范围内，

N/Si≤0.2(3)。

5.根据权利要求1或2所述的层叠膜，其中，对满足所述条件(i)和(ii)的薄膜层进行红外光谱测定时，存在于810～880cm^-1的峰强度I与存在于2100～2200cm^-1的峰强度I’的强度比在下述式(4)的范围内，

0.05≤I’/I≤0.20(4)。

6.根据权利要求1或2所述的层叠膜，其中，满足所述条件(i)和(ii)的薄膜层通过感应耦合等离子体CVD法形成。

7.一种柔性电子器件，其使用了权利要求1～6中任一项所述的层叠膜作为基板。