[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。

背景技术

近年来，通过在绝缘基板上形成源极、漏极和栅极等各电极以及半导体层而构成 的薄膜晶体管等半导体装置受到关注(例如专利文献1)。这样的半导体装置例如可以应用 于电光装置等各种电子器件等中。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-123861号公报

发明内容

发明所要解决的问题

在如上所述的半导体装置中，为了进一步的高性能化和高功能化，要求进一步降 低源极与半导体层之间和漏极与半导体层之间的接触电阻。

本发明是鉴于这样的背景而完成的，在本发明中，目的在于提供与以往相比实现 了高性能化和高功能化的半导体装置。另外，在本发明中，目的在于提供制造这样的半导体 装置的方法。

用于解决问题的手段

在本发明中，提供一种半导体装置，其为具有源极、漏极、栅极和非晶硅层的半导 体装置，其特征在于，

在上述源极和上述漏极的一者或两者与上述非晶硅层之间，具有含有钙原子和铝 原子的非晶氧化物的电子化合物的薄膜。

在此，对于本发明的半导体装置而言，在上述电子化合物的薄膜中，铝原子与钙原 子的摩尔比(Ca/Al)可以在0.3～5.0的范围内。

另外，在本发明的半导体装置中，上述电子化合物的薄膜可以具有2.0×10¹⁷cm^-3以上的电子密度。

另外，在本发明的半导体装置中，上述电子化合物的薄膜的厚度可以为100nm以 下。

另外，在本发明的半导体装置中，上述非晶硅层可以配置在上述源极与上述栅极 之间，或者

上述非晶硅层可以配置在比上述源极更远离上述栅极的一侧。

此外，在本发明中，提供一种半导体装置的制造方法，其为具有源极、漏极、栅极和 非晶硅层的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

(1)在上述源极和上述漏极的一者或两者与上述非晶硅层之间形成含有钙原子和 铝原子的非晶氧化物的电子化合物的薄膜的步骤。

在此，本发明的制造方法还具有

(a)在基板上形成非晶硅层的步骤、

(b)形成源极和漏极的步骤、和

(c)形成栅极的步骤，并且

上述(1)步骤可以在上述(a)步骤与上述(b)步骤之间实施。

另外，本发明的制造方法还具有

(a)在基板上形成源极和漏极的步骤、

(b)形成非晶硅层的步骤、和

(c)形成栅极的步骤，并且

上述(1)步骤可以在上述(a)步骤与上述(b)步骤之间实施。

另外，本发明的制造方法还具有

(a)在基板上形成栅极的步骤、

(b)形成非晶硅层的步骤、和

(c)形成源极和漏极的步骤，并且

上述(1)步骤可以在上述(b)步骤与上述(c)步骤之间实施。

另外，本发明的制造方法还具有

(a)在基板上形成栅极的步骤、

(b)形成源极和漏极的步骤、和

(c)形成非晶硅层的步骤，并且

上述(1)步骤可以在上述(b)步骤与上述(c)步骤之间实施。

另外，对于本发明的制造方法而言，在上述电子化合物的薄膜中，铝原子与钙原子 的摩尔比(Ca/Al)可以在0.3～5.0的范围内。

另外，在本发明的制造方法中，上述电子化合物的薄膜可以具有2.0×10¹⁷cm^-3以 上的电子密度。

另外，在本发明的制造方法中，上述电子化合物的薄膜的厚度可以为100nm以下。

需要说明的是，在本申请中，也将“含有钙原子和铝原子的非晶氧化物的电子化合 物”简称为“非晶氧化物的电子化合物”，也将“含有钙原子和铝原子的非晶氧化物的电子化 合物的薄膜”简称为“电子化合物的薄膜”。

发明效果

本发明中，可以提供与以往相比实现了高性能化和高功能化的半导体装置。另外， 本发明中，可以提供制造这样的半导体装置的方法。

附图说明