[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其为具有源极、漏极、栅极和非晶硅层的半导体装置，其特征在于，

在所述源极和所述漏极的一者或两者与所述非晶硅层之间，具有含有钙原子和铝原子 的非晶氧化物的电子化合物的薄膜。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述电子化合物的薄膜中，铝原子与钙原 子的摩尔比(Ca/Al)在0.3～5.0的范围内。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述电子化合物的薄膜具有2.0×10¹⁷cm^-3以上的电子密度。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，所述电子化合物的薄膜的厚度 为100nm以下。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，

所述非晶硅层配置在所述源极与所述栅极之间，或者

所述非晶硅层配置在比所述源极更远离所述栅极的一侧。

6.一种半导体装置的制造方法，其为具有源极、漏极、栅极和非晶硅层的半导体装置的 制造方法，其特征在于，具有：

在所述源极和所述漏极的一者或两者与所述非晶硅层之间，形成含有钙原子和铝原子 的非晶氧化物的电子化合物的薄膜的步骤。

7.如权利要求6所述的制造方法，其中，所述制造方法还具有：

(a)在基板上形成非晶硅层的步骤、

(b)形成源极和漏极的步骤、和

(c)形成栅极的步骤；并且

在所述(a)步骤与所述(b)步骤之间，实施在所述源极和所述漏极的一者或两者与所述 非晶硅层之间形成含有钙原子和铝原子的非晶氧化物的电子化合物的薄膜的步骤。

8.如权利要求6所述的制造方法，其中，所述制造方法还具有：

(a)在基板上形成源极和漏极的步骤、

(b)形成非晶硅层的步骤、和

(c)形成栅极的步骤；并且

在所述(a)步骤与所述(b)步骤之间，实施在所述源极和所述漏极的一者或两者与所述 非晶硅层之间形成含有钙原子和铝原子的非晶氧化物的电子化合物的薄膜的步骤。

9.如权利要求6所述的制造方法，其中，所述制造方法还具有：

(a)在基板上形成栅极的步骤、

(b)形成非晶硅层的步骤、和

(c)形成源极和漏极的步骤；并且

在所述(b)步骤与所述(c)步骤之间，实施在所述源极和所述漏极的一者或两者与所述 非晶硅层之间形成含有钙原子和铝原子的非晶氧化物的电子化合物的薄膜的步骤。

10.如权利要求6所述的制造方法，其中，所述制造方法还具有：

(a)在基板上形成栅极的步骤、

(b)形成源极和漏极的步骤、和

(c)形成非晶硅层的步骤；并且

在所述(b)步骤与所述(c)步骤之间，实施在所述源极和所述漏极的一者或两者与所述 非晶硅层之间形成含有钙原子和铝原子的非晶氧化物的电子化合物的薄膜的步骤。

11.如权利要求6～10中任一项所述的制造方法，其中，在所述电子化合物的薄膜中，铝 原子与钙原子的摩尔比(Ca/Al)在0.3～5.0的范围内。

12.如权利要求6～11中任一项所述的制造方法，其中，所述电子化合物的薄膜具有2.0 ×10¹⁷cm^-3以上的电子密度。

13.如权利要求6～12中任一项所述的制造方法，其中，所述电子化合物的薄膜的厚度 为100nm以下。