[发明专利]用于较小晶片及晶片片段的晶片载具有效
申请号: | 201480065526.6 | 申请日: | 2014-09-19 |
公开(公告)号: | CN105793974B | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 迈克尔·S·考克斯;谢丽尔·A·克内佩弗莱雷 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/683;H02N13/00;B23Q3/15 |
代理公司: | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 较小 晶片 片段 | ||
1.一种支撑基板的方法,所述方法包含以下步骤:
将基板定位于载具上的第一夹持区域处,其中所述载具具有第一静电夹持电极组件及第二静电夹持电极组件,所述第一静电夹持电极组件界定所述第一夹持区域,所述第二静电夹持电极组件界定第二夹持区域,所述第二夹持区域设置于所述第一夹持区域的外部并环绕所述第一夹持区域,所述第一静电夹持电极组件及所述第二静电夹持电极设置于所述载具的主体内;
将掩模定位于所述载具的所述第二夹持区域上且于所述基板的至少一部分之上;以及
静电地将所述基板夹持至所述第一夹持区域及将所述掩模夹持至所述载具的所述第二夹持区域,其中所述基板及所述掩模各个被设置成与所述载具直接接触。
2.如权利要求1所述的方法,所述方法进一步包含以下步骤:将所述载具传送至处理腔室中,所述载具具有静电地夹持至所述载具的所述基板及掩模。
3.如权利要求2所述的方法,其中在所述处理腔室中的处理期间,维持对所述第一静电夹持电极组件或所述第二静电夹持电极组件的至少一者的激励。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述第一静电夹持电极组件及所述第二静电夹持电极组件是独立可控的。
5.如权利要求1所述的方法,其中将所述基板定位于所述载具上的步骤包含以下步骤:将一或更多个基板或基板片定位于所述载具上。
6.一种用于支撑基板的方法,所述方法包含以下步骤:
将基板定位于载具上的第一夹持区域处,其中所述载具具有第一静电夹持电极组件及第二静电夹持电极组件,所述第一静电夹持电极组件界定所述第一夹持区域,所述第二静电夹持电极组件界定第二夹持区域,所述第二夹持区域设置于所述第一夹持区域的外部并环绕所述第一夹持区域,所述第一静电夹持电极组件及所述第二静电夹持电极组件设置于所述载具的主体内;
激励所述第一静电夹持电极组件以将所述基板固定至所述第一夹持区域处而与所述载具直接接触;
将掩模定位于所述载具的所述第二夹持区域上且于所述基板的至少一部分之上;以及
激励所述第二静电夹持电极组件,以将所述掩模固定至所述第二夹持区域处而与所述载具直接接触。
7.如权利要求6所述的方法,所述方法进一步包含以下步骤:将所述载具传送至处理腔室中,所述载具具有设置于所述载具上的所述基板及掩模。
8.如权利要求6所述的方法,其中可独立地激励所述第一静电夹持电极组件及所述第二静电夹持电极组件。
9.如权利要求6所述的方法,其中由单一电源激励所述第一静电夹持电极组件及所述第二静电夹持电极组件。
10.如权利要求6所述的方法,其中由所述第二静电夹持电极组件限制所述第一静电夹持电极组件。
11.如权利要求6所述的方法,其中相继地将所述基板及所述掩模夹持至所述载具。
12.如权利要求6所述的方法,所述方法进一步包含以下步骤:将第二基板夹持至所述载具。
13.如权利要求6所述的方法,其中所述基板是小晶片。
14.如权利要求6所述的方法,其中所述掩模包括多个孔。
15.一种用于支撑基板的设备,所述设备包含:
载具,所述载具具有主体及经配置以支撑基板的顶表面;
一或更多个静电夹持电极,所述一或更多个静电夹持电极设置于所述载具主体内;以及
掩模,所述掩模能够通过将功率施加至所述一或更多个静电夹持电极而静电地耦接至所述载具的所述顶表面,所述掩模经配置以围绕及暴露所述载具的所述顶表面的一或更多个选择的区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造