[发明专利]用于光记录介质的记录层和光记录介质有效
| 申请号: | 201480065179.7 | 申请日: | 2014-11-19 |
| 公开(公告)号: | CN105793056B | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
| 发明(设计)人: | 曾根康宏 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | B41M5/26 | 分类号: | B41M5/26;G11B7/24035;G11B7/24038;G11B7/243;G11B7/2548;G11B7/257 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉双;谢雪闽 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 记录 介质 | ||
1.一种光记录介质,所述光记录介质包括透射型记录层,所述透射型记录层包含金属MA的氧化物、金属MB的氧化物和金属MC的氧化物,
其中所述金属MA是从由Mn和Ni构成的组中选择出的至少一种,
其中所述金属MB是从由W和Mo构成的组中选择出的至少一种,
其中所述金属MC是Zr,
其中所述金属MA与所述金属MB的原子比(MA/MB)不小于0.37且不大于1.31,并且
其中所述透射型记录层中的所述金属MC的含量不小于0.9原子%且不大于27.5原子%。
2.根据权利要求1所述的光记录介质,
其中所述透射型记录层进一步包含金属ME的氧化物,并且
其中所述金属ME是Mg。
3.根据权利要求2所述的光记录介质,
其中所述透射型记录层中的所述金属ME的含量不小于6.6原子%且不大于43.0原子%。
4.根据权利要求2所述的光记录介质,
其中所述透射型记录层中的所述金属ME的含量不小于7.57原子%且不大于43.0原子%。
5.根据权利要求2所述的光记录介质,
其中所述透射型记录层中的所述金属ME的含量不小于20.1原子%且不大于43.0原子%。
6.根据权利要求1所述的光记录介质,
其中所述透射型记录层的数目为两个。
7.根据权利要求1所述的光记录介质,
其中所述透射型记录层中的所述金属MC的含量不小于0.9原子%且不大于8.5原子%。
8.根据权利要求7所述的光记录介质,
其中所述透射型记录层的数目为三个。
9.根据权利要求1所述的光记录介质,
其中所述透射型记录层中的所述金属MC的含量不小于5.5原子%且不大于8.5原子%。
10.根据权利要求1所述的光记录介质,
其中所述金属MA与所述金属MB的原子比(MA/MB)不小于0.54且不大于0.78。
11.根据权利要求1所述的光记录介质,
其中所述透射型记录层进一步包含金属MD的氧化物,并且
其中所述金属MD是从由Cu和Zn构成的组中选择出的至少一种。
12.根据权利要求1所述的光记录介质,
其中所述金属MA是Mn和Ni二者。
13.根据权利要求12所述的光记录介质,
其中所述金属MA中的Mn与Ni的原子比(Mn/Ni)不小于0.4且不大于2.6。
14.根据权利要求1所述的光记录介质,
其中所述金属MB是W和Mo二者。
15.根据权利要求14所述的光记录介质,
其中所述金属MB中的W与Mo的原子比(W/Mo)不大于2.0。
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