[发明专利]用于光记录介质的记录层和光记录介质有效

专利信息
申请号: 201480065179.7 申请日: 2014-11-19
公开(公告)号: CN105793056B 公开(公告)日: 2019-10-29
发明(设计)人: 曾根康宏 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: B41M5/26 分类号: B41M5/26;G11B7/24035;G11B7/24038;G11B7/243;G11B7/2548;G11B7/257
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 王玉双;谢雪闽
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 用于 记录 介质
【权利要求书】:

1.一种光记录介质,所述光记录介质包括透射型记录层,所述透射型记录层包含金属MA的氧化物、金属MB的氧化物和金属MC的氧化物,

其中所述金属MA是从由Mn和Ni构成的组中选择出的至少一种,

其中所述金属MB是从由W和Mo构成的组中选择出的至少一种,

其中所述金属MC是Zr,

其中所述金属MA与所述金属MB的原子比(MA/MB)不小于0.37且不大于1.31,并且

其中所述透射型记录层中的所述金属MC的含量不小于0.9原子%且不大于27.5原子%。

2.根据权利要求1所述的光记录介质,

其中所述透射型记录层进一步包含金属ME的氧化物,并且

其中所述金属ME是Mg。

3.根据权利要求2所述的光记录介质,

其中所述透射型记录层中的所述金属ME的含量不小于6.6原子%且不大于43.0原子%。

4.根据权利要求2所述的光记录介质,

其中所述透射型记录层中的所述金属ME的含量不小于7.57原子%且不大于43.0原子%。

5.根据权利要求2所述的光记录介质,

其中所述透射型记录层中的所述金属ME的含量不小于20.1原子%且不大于43.0原子%。

6.根据权利要求1所述的光记录介质,

其中所述透射型记录层的数目为两个。

7.根据权利要求1所述的光记录介质,

其中所述透射型记录层中的所述金属MC的含量不小于0.9原子%且不大于8.5原子%。

8.根据权利要求7所述的光记录介质,

其中所述透射型记录层的数目为三个。

9.根据权利要求1所述的光记录介质,

其中所述透射型记录层中的所述金属MC的含量不小于5.5原子%且不大于8.5原子%。

10.根据权利要求1所述的光记录介质,

其中所述金属MA与所述金属MB的原子比(MA/MB)不小于0.54且不大于0.78。

11.根据权利要求1所述的光记录介质,

其中所述透射型记录层进一步包含金属MD的氧化物,并且

其中所述金属MD是从由Cu和Zn构成的组中选择出的至少一种。

12.根据权利要求1所述的光记录介质,

其中所述金属MA是Mn和Ni二者。

13.根据权利要求12所述的光记录介质,

其中所述金属MA中的Mn与Ni的原子比(Mn/Ni)不小于0.4且不大于2.6。

14.根据权利要求1所述的光记录介质,

其中所述金属MB是W和Mo二者。

15.根据权利要求14所述的光记录介质,

其中所述金属MB中的W与Mo的原子比(W/Mo)不大于2.0。

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