[发明专利]倒角加工装置及无切口晶圆的制造方法

说明书

本发明是一种倒角加工装置(1)，其由倒角加工部(4)、清洗部(5)、及倒角形状测定部(7)构成，该倒角加工部(4)去除晶圆(W)的切口，该清洗部(5)进行晶圆的清洗和干燥，该倒角形状测定部(7)进行倒角形状的测定；其中，在倒角加工部、清洗部及倒角形状测定部，分别具备保持晶圆的旋转台和控制旋转台与晶圆的旋转位置的控制装置；旋转台具有旋转开始时的旋转位置的基准位置，并保持相对于该基准位置的旋转开始时的旋转位置在所有的旋转台上都是相同的旋转位置，控制装置控制晶圆的旋转开始时的旋转位置与旋转结束时的旋转位置，使其总是位于特定的位置。由此，即使是对于无切口晶圆也能适当地进行反馈控制，并能抑制倒角形状尺寸的偏差，能实现所希望的晶圆倒角部的剖面形状精度。

技术领域

本发明涉及一种倒角加工装置及无切口晶圆的制造方法。

背景技术

以往，对于直径300mm以上的单晶硅晶圆等，为了在制造步骤中配合晶圆的朝向，在晶圆的外周面上设有被称为切口(notch)的切痕。以使晶体结构成为最适合于要制造的半导体元件的动作的方向的方式，沿着特定的晶体取向来切断晶圆，且依据导电型和晶体取向，在<110>、<100>等的晶体取向的方向上，决定切口位置。

近年来，随着动态随机存取内存(Dynamic Random Access Memory，DRAM)、非挥发性闪存(Non-volatile flash memory，NAND flash memory)或微处理单元(MicroProcessing Unit，MPU)等半导体元件的高集成度、晶圆的大直径化，在半导体元件制造步骤中的热处理时，施加于晶圆上的应力会增加，成为结漏原因的滑移(slip)的产生会成为问题。特别是具有像切口那样的局部形状的部位，容易发生应力集中而容易产生滑移。因此，器件制造商要求没有切口等切痕的晶圆。

作为半导体存储元件材料来使用的硅晶圆的制造方法中，首先使用切克劳斯基法(Czochralski method，CZ法)等来制造具有特定的晶体取向的单晶锭(结晶成长步骤)。接下来，将制造出来的单晶锭的侧面磨削并调整外径，并在单晶硅晶锭的外周上形成表示晶体取向的切口(圆筒磨削步骤)。接下来，沿着特定的晶体取向将单晶锭切片成薄圆板状的晶圆(切片步骤)，并将该切片后的晶圆的外周部进行倒角，以防止晶圆的破裂、缺损(倒角步骤)。

之后，同时双面磨削倒角后的晶圆而平坦化(双头磨削步骤)，并将残留于已倒角和双面磨削后的晶圆上的加工应变去除(蚀刻步骤)。进一步，研磨晶圆的表面及/或背面而镜面化(研磨步骤)，且清洗研磨后的晶圆而去除附着于晶圆上的研磨剂或异物(清洗步骤)。

针对以上述制造步骤来制造没有切口的晶圆(无切口晶圆)的方法，有如下所述方法，如图5所示，其具有以下步骤：在双头磨削后的晶圆背面上，以切口为基准，利用激光制标来刻记晶体取向记号(激光制标步骤)；对激光制标后的晶圆的外周进行磨削去除而去除切口(切口去除步骤)(参考专利文献1)。另外，半导体设备材料协会(SemiconductorEquipment and Materials Institute，SEMI)，如图6所示，正在策划在晶圆W的背面上利用激光来刻记晶体取向记号M，以代替切口。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利公开平成10-256106号公报

专利文献2：日本专利公开平成07-218228号公报

专利文献3：国际公开第2008/093488号公报

发明内容

(一)要解决的技术问题