[发明专利]双面带有隔片的密封用片、以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201480063321.4 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN105745750A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 志贺豪士;石坂刚;盛田浩介;饭野智绘 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;C09J7/02;H01L21/60;H01L23/28;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双面 带有 密封 以及 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种双面带有隔片的密封用片，其特征在于，具备：
密封用片、
层叠于所述密封用片的一个面的厚50μm以上的隔片A、和
层叠于所述密封用片的另一个面的隔片B。
2.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：
工序A，准备在支撑体上固定有半导体芯片的层叠体；
工序B，准备权利要求1所述的双面带有隔片的密封用片；
工序C，将所述双面带有隔片的密封用片经由所述隔片A利用吸附夹头抬起；
工序D，从所述双面带有隔片的密封用片剥离所述隔片B而得到单面带有隔片的密封用片；
工序E，以使所述单面带有隔片的密封用片的剥离了所述隔片B的一侧的面与所述层叠体的所述半导体芯片的面相面对的方式，将所述单面带有隔片的密封用片配置于所述层叠体的所述半导体芯片上；和
工序F，将所述半导体芯片埋入所述密封用片，形成在所述密封用片中埋入有所述半导体芯片的密封体。
3.根据权利要求1所述的双面带有隔片的密封用片，其特征在于，
所述密封用片为2层以上，
所述隔片B的厚度小于40μm。
4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：
工序A，准备在支撑体上固定有半导体芯片的层叠体；
工序B，准备权利要求3所述的双面带有隔片的密封用片；
工序C，将所述双面带有隔片的密封用片经由所述隔片A利用吸附夹头抬起；
工序D，从所述双面带有隔片的密封用片剥离所述隔片B而得到单面带有隔片的密封用片；
工序E，以使所述单面带有隔片的密封用片的剥离了所述隔片B的一侧的面与所述层叠体的所述半导体芯片的面相面对的方式，将所述单面带有隔片的密封用片配置于所述层叠体的所述半导体芯片上；和
工序F，将所述半导体芯片埋入所述密封用片，形成在所述密封用片中埋入有所述半导体芯片的密封体。
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