[发明专利]高分子压电材料及其制造方法在审
申请号: | 201480062426.8 | 申请日: | 2014-11-10 |
公开(公告)号: | CN105723534A | 公开(公告)日: | 2016-06-29 |
发明(设计)人: | 谷本一洋;吉田光伸;西川茂雄 | 申请(专利权)人: | 三井化学株式会社 |
主分类号: | H01L41/193 | 分类号: | H01L41/193;C08G63/06;H01L41/33;H01L41/45 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;焦成美 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高分子 压电 材料 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及高分子压电材料及其制造方法。
背景技术
近年来,报道了使用了具有光学活性的螺旋手性高分子(例如 聚乳酸类高分子)的高分子压电材料。
例如,公开了通过对聚乳酸的成型物进行拉伸处理,从而于常 温显示10pC/N左右的压电系数的高分子压电材料(例如,参照日本 特开平5-152638号公报)。
另外,作为层合膜(其为高分子压电材料),还已知具有以聚L -乳酸为主成分的层A及以聚D-乳酸为主成分的层B、通过共挤 出法得到的层合膜(例如,参照日本特开2011-243606号公报)。
发明内容
发明所要解决的课题
对于上述使用了具有光学活性的螺旋手性高分子的高分子压电 材料而言,为了呈现压电性,考虑优选使分子链沿一个方向排列。
然而,根据本发明的发明人们的研究,发现当在上述高分子压 电材料中使分子链沿一个方向排列时,有时产生以下的问题。
即,在上述高分子压电材料中若使分子链沿一个方向排列,则 有时上述高分子压电材料容易沿该一个方向撕裂。这种向一个方向 撕裂的容易性,是在已经应用于各种领域的双轴拉伸聚酯膜、螺旋 手性高分子的注射成型体等中见不到的特性。因此,当将上述高分 子压电材料作为设备等应用时,在生产工序中或形成制品之后,沿 容易撕裂的方向产生裂纹,等等,这成为实用上的严重问题。
如上所述,对于上述高分子压电材料而言,有时要求进一步提 高撕裂强度。
另一方面,对于上述高分子压电材料而言,从抑制制品品质的 偏差的观点考虑,有时也要求进一步提高压电常数的稳定性。
然而,根据本发明的发明人们的研究发现,若提高上述高分子 压电材料的撕裂强度,则有时压电常数的稳定性(尤其是热稳定性) 降低。另外发现,相反地,若提高上述高分子压电材料的压电常数 的稳定性(尤其是热稳定性),则有时撕裂强度降低。
本发明是鉴于上述情况而完成的,本发明的课题在于实现以下 目的。
即,本发明的目的在于提供同时实现了撕裂强度的提升和压电 常数的稳定性的提升的高分子压电材料及其制造方法。
用于解决课题的手段
用于实现上述课题的具体手段如下所述。
<1>一种高分子压电材料,其包含重均分子量为5万~100 万、利用下式算出的光学纯度高于97.0%ee且低于99.8%ee的螺旋 手性高分子(A),所述高分子压电材料于25℃利用应力-电荷法 测得的压电常数d14为1pC/N以上。
式:光学纯度(%ee)=100×|L体量-D体量|/(L体量+D 体量)
〔其中,L体的量〔质量%〕和光学活性高分子的D体的量〔质 量%〕是通过利用了高效液相色谱法(HPLC)的方法而得到的值。〕
<2>如<1>所述的高分子压电材料,其中,上述光学纯度为 98.0%ee以上99.6%ee以下。
<3>如<1>或<2>所述的高分子压电材料,其中,上述光学 纯度高于98.5%ee且低于99.6%ee。
<4>如<1>~<3>中任一项所述的高分子压电材料,其中, 相对于可见光线的内部雾度为40%以下,利用DSC法得到的结晶度 为20%~80%,用微波透射型分子取向计测定的将基准厚度设定为 50μm时的标准化分子取向MORc与上述结晶度之积为40~700。
<5>如<1>~<4>中任一项所述的高分子压电材料,其中, 相对于可见光线的内部雾度为0.05%~5%,用微波透射型分子取向 计测定的将基准厚度设定为50μm时的标准化分子取向MORc为 2.0~10.0。
<6>如<1>~<5>中任一项所述的高分子压电材料,其中, 上述螺旋手性高分子(A)为聚乳酸类高分子,所述聚乳酸类高分子 具有包含下式(1)表示的重复单元的主链。
<7>如<1>~<6>中任一项所述的高分子压电材料,其中, 上述螺旋手性高分子(A)的含量为80质量%以上。
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