[发明专利]高分子压电材料及其制造方法在审
申请号: | 201480062426.8 | 申请日: | 2014-11-10 |
公开(公告)号: | CN105723534A | 公开(公告)日: | 2016-06-29 |
发明(设计)人: | 谷本一洋;吉田光伸;西川茂雄 | 申请(专利权)人: | 三井化学株式会社 |
主分类号: | H01L41/193 | 分类号: | H01L41/193;C08G63/06;H01L41/33;H01L41/45 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;焦成美 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高分子 压电 材料 及其 制造 方法 | ||
1.一种高分子压电材料,其包含重均分子量为5万~100万、 利用下式算出的光学纯度高于97.0%ee且低于99.8%ee的螺旋手性 高分子(A),
所述高分子压电材料于25℃利用应力-电荷法测得的压电常数 d14为1pC/N以上,
式:光学纯度(%ee)=100×|L体量-D体量|/(L体量+D 体量)
其中,L体的量〔质量%〕和光学活性高分子的D体的量〔质量%〕 是通过利用了高效液相色谱法(HPLC)的方法而得到的值。
2.如权利要求1所述的高分子压电材料,其中,所述光学纯度 为98.0%ee以上99.6%ee以下。
3.如权利要求1或2所述的高分子压电材料,其中,所述光学 纯度高于98.5%ee且低于99.6%ee。
4.如权利要求1或2所述的高分子压电材料,其中,相对于可 见光线的内部雾度为40%以下,
利用DSC法得到的结晶度为20%~80%,
用微波透射型分子取向计测定的将基准厚度设定为50μm时的 标准化分子取向MORc与所述结晶度之积为40~700。
5.如权利要求1或2所述的高分子压电材料,其中,相对于可 见光线的内部雾度为0.05%~5%,
用微波透射型分子取向计测定的将基准厚度设定为50μm时的 标准化分子取向MORc为2.0~10.0。
6.如权利要求1或2所述的高分子压电材料,其中,所述螺旋 手性高分子(A)为聚乳酸类高分子,所述聚乳酸类高分子具有包含 下式(1)表示的重复单元的主链,
7.如权利要求1或2所述的高分子压电材料,其中,所述螺旋 手性高分子(A)的含量为80质量%以上。
8.一种高分子压电材料的制造方法,其是制造权利要求1或2 所述的高分子压电材料的方法,包括以下工序:
第一工序,加热包含所述螺旋手性高分子(A)的非晶状态的膜 而得到预结晶化膜,和
第二工序,主要沿单轴方向拉伸所述预结晶化膜。
9.如权利要求8所述的高分子压电材料的制造方法,其中,所 述第一工序中,于满足下式(2)的温度T,加热所述非晶状态的膜, 直到结晶度成为3%~70%,得到预结晶化膜,
式(2):Tg-40℃≤T≤Tg+40℃
式(2)中,Tg表示所述螺旋手性高分子(A)的玻璃化温度(℃)。
10.如权利要求8所述的高分子压电材料的制造方法,其中, 所述第一工序中,将包含聚乳酸作为所述螺旋手性高分子(A)的非 晶状态的膜于60℃~170℃加热5秒~60分钟,得到预结晶化膜。
11.如权利要求8所述的高分子压电材料的制造方法,其中, 在所述第二工序之后,包括进行退火处理的退火处理工序。
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