[发明专利]发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，其特征在于，该发光装置包含：

第1透光性支承基体，其具有第1透光性绝缘体和设置于所述第1透 光性绝缘体的表面的第1导电电路层；

第2透光性支承基体，其具有第2透光性绝缘体和设置于所述第2透 光性绝缘体的表面的第2导电电路层，所述第2导电电路层以与所述第1 导电电路层相对置的方式配置；

发光二极管，其配置于所述第1透光性支承基体与所述第2透光性支 承基体之间，并且包含：衬底，其具有第1面和第2面；第1导电型的第1 半导体层，其设置于所述衬底的所述第1面上；第2导电型的第2半导体 层，其设置于所述第1半导体层上；发光层，其设置于所述第1半导体层 和所述第2半导体层之间；第1电极，其以面积小于所述发光层的面积的 方式设置于所述第2半导体层上，并且与所述第1导电电路层电连接；和 第2电极，其设置于所述衬底的所述第2面上，并且与所述第2导电电路 层电连接；以及

第3透光性绝缘体，其埋入于所述第1透光性支承基体与所述第2透 光性支承基体之间的空间，

其中，在将所述衬底的所述第1面的面积设为S₁、将所述发光层的面 积设为S₂、将从所述衬底的所述第1面到所述第1电极的表面的距离设为 H时，所述发光二极管具有满足1≤S₁/S₂≤-(3.46/H)+2.73的关系的形状。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述面积S₂小于所述面积 S₁。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述面积S₁与所述面积 S₂之比S₁/S₂为1.2以上。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，在所述第1透光性支承基 体和所述第2透光性支承基体之间配置有多个所述发光二极管，

所述多个发光二极管之间的所述第3透光性绝缘体的最小厚度T₂比所 述发光二极管的高度T₁薄5μm以上且所述高度T₁的1/2以下的范围。

5.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光层设置于与所述 第2半导体层的表面相距1μm以上的位置。

6.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第3透光性绝缘体具 有80℃以上且160℃以下的范围内的维卡软化温度。

7.根据权利要求6所述的发光装置，其中，所述第3透光性绝缘体具 有180℃以上的熔融温度或者比所述维卡软化温度高40℃以上的熔融温度。

8.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第3透光性绝缘体具 有0.01GPa以上且10GPa以下的范围内的拉伸储能模量。

9.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第3透光性绝缘体具 有-20℃以下的玻璃化转变温度。

10.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第1透光性支承基 体以及所述第2透光性支承基体分别具有弯曲性。

11.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第2半导体层的表 面具有所述第1电极的形成面和所述第1电极的非形成面，在所述第1电 极的非形成面和所述第1导电电路层之间填充有所述第3透光性绝缘体。

12.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第1电极或所述第2 电极和所述导电电路层之间的接触界面具有：所述电极和所述导电电路层 直接接触而成的电连接区域；以及在所述电极和所述导电电路层之间介入 所述第3透光性绝缘体并结合而成的机械结合区域。

13.根据权利要求12所述的发光装置，其中，所述电极的与所述导电 电路层接触的接触面具有凹凸形状，在所述凹凸形状中的凸部与所述导电 电路层直接接触而构成了所述电连接区域，并且在所述凹凸形状中的凹部 填充有所述第3透光性绝缘体而构成了所述机械结合区域。