[发明专利]铜粒分散液和使用该铜粒分散液的导电膜的制造方法在审
申请号: | 201480060662.6 | 申请日: | 2014-10-31 |
公开(公告)号: | CN105705594A | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 藤田英史;金田秀治;伊东大辅 | 申请(专利权)人: | 同和电子科技有限公司 |
主分类号: | C09D5/24 | 分类号: | C09D5/24;B22F1/02;B22F9/24;C09D7/12;H01B1/00;H01B1/22;H01B13/00;H05K1/09;H05K3/12 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 刘多益;董庆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分散 使用 导电 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及铜粒分散液,尤其涉及形成电子元器件的电极或电路等的导电 膜的制造中所使用的铜粒分散液、以及使用该铜粒分散液的导电膜的制造方 法。
背景技术
迄今,作为使用铜粒分散液来制造导电膜的方法,提出了将含有玻璃微粒 等无机微粒、感光性有机成分和具有苯并三唑等唑结构的化合物的感光性糊料 涂布于基板上,曝光后显影,然后进行烧成,从而形成(导电膜的)图案的方 法(例如,参照日本专利特开平9-218508号公报)。
还提出了将含有铜纳米粒的铜油墨溶液(铜粒分散液)印刷于基板表面后 使其干燥,然后通过将其暴露于脉冲下而对铜纳米粒进行光烧结来使其融合, 以制造光烧结铜纳米粒膜(导电膜)的方法(例如,参照日本专利特表 2010-528428号公报)。
另外,作为铜粒分散液,提出了将作为耐氧化性处理使苯并三唑被覆于表 面的铜微粒作为导电填料使用的导电油墨(例如,参照日本专利特开 2008-285761号公报)。
然而,在日本专利特开平9-218508号公报所记载的方法中,由于需要在 将感光性糊料涂布于基板上、曝光后使用显影液来显影,然后在高温(520~ 610℃)下进行烧成,因此其工序繁杂,无法通过光照射来烧成,还无法在纸 膜或PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)膜等不耐热的基板上形成图案。另外,在 日本专利特表2010-528428号公报所记载的方法中,含有铜纳米粒的铜油墨溶 液(铜粒分散液)的保存稳定性不足。另外,如果将日本专利特开2008-285761 号公报所记载的导电油墨作为光烧成用的铜粒分散液来使用,则在将其涂布于 基板上后干燥、然后通过光照射而烧成以形成导电膜之际,会在导电膜上产生 裂纹,导电性变差。
发明内容
所以,本发明鉴于上述以往的问题,其目的在于提供保存稳定性良好且可 通过光烧成形成导电性良好的导电膜的铜粒分散液以及使用该铜粒分散液的 导电膜的制造方法。
本发明人为了解决上述技术问题而进行了深入研究,发现通过将被唑化合 物被覆的平均粒径为1~100nm的铜微粒和平均粒径为0.3~20μm的铜粗粒 分散于分散介质中,能够提供保存稳定性良好且可通过光烧成形成导电性良好 的导电膜的铜粒分散液以及使用该铜粒分散液的导电膜的制造方法,从而完成 了本发明。
即,本发明的铜粒分散液的特征在于,被唑化合物被覆的平均粒径为1~ 100nm的铜微粒和平均粒径为0.3~20μm的铜粗粒分散于分散介质中。该铜 粒分散液中,铜微粒和铜粗粒的总量优选为50~90质量%,铜微粒的质量与 铜粗粒的质量的比例优选为1:9~5:5。另外,唑化合物优选为苯并三唑,分散 介质优选为乙二醇。
另外,本发明的导电膜的制造方法的特征在于,通过将上述铜粒分散液涂 布于基板上后进行预烧成,然后进行光的照射而烧成,藉此在基板上形成导电 膜。该导电膜的制造方法中,铜粒分散液的涂布优选通过丝网印刷或柔版印刷 来进行,预烧成优选通过在50~150℃下真空干燥来进行。另外,光的照射优 选通过以100~3000μs的脉冲周期、1600~3600V的脉冲电压脉冲照射波长 为200~800nm的光来进行,导电膜的厚度优选为1~30μm。
通过本发明,能够提供保存稳定性良好且可通过光烧成形成导电性良好的 导电膜的铜粒分散液以及使用该铜粒分散液的导电膜的制造方法。
附图的简要说明
图1是显示实施例1和比较例1的铜微粒的分散液的吸光度的图。
具体实施方式
本发明的铜粒分散液的实施方式中,被唑化合物被覆的平均粒径为1~ 100nm的铜微粒和平均粒径为0.3~20μm的铜粗粒分散于分散介质中。
平均粒径为1~100nm的铜微粒是容易烧结的粒子,通过利用唑化合物对 表面进行被覆,在提高保存稳定性的同时,还提高了光的吸收性,更易通过光 照射来烧结。特别是,唑化合物由于在分子内存在共轭双键,因此通过吸收紫 外线波长范围(200~400nm)内的光而将其转化为热量,使得铜微粒容易烧 结。
另外,平均粒径为0.3~20μm的铜粗粒在通过光照射进行烧成来形成导 电膜时防止导电膜上产生裂纹而使导电性变差,并且即使导电膜变厚也能抑制 导电性变差。
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