[发明专利]半导体接合用粘接片及半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种特别适用于将硅晶圆等晶割、且将所获得的半导体 芯片粘接(黏晶)于有机基板或引线框架或其他半导体芯片的工序中使用 的半导体接合用粘接片及使用该粘接片的半导体装置的制备方法。

背景技术

硅、镓砷等半导体晶圆以大直径状态制造，该晶圆在被切断分离(晶 割)成元件小片(半导体芯片)后，被移往下一工序的粘晶工序。此时，半 导体晶圆会因背面研削工序而被薄化，然后，经由晶割、洗净、干燥、 扩展、拾取等各项工序后，再被移送往下一工序的焊接工序。

焊接工序中，当将半导体芯片安装于印刷电路板时，有采用在半导 体芯片的电路面侧的耦接焊垫部上形成由共晶焊料、高温焊料、金等构 成的导通用突起物(凸块电极)，再利用所谓“倒置方式(face-down)”， 使这些凸块电极面对面接触于芯片搭载用基板上相对应的端子部，并熔 融/扩散接合的覆晶安装方法。此种安装方法若使用近年普及的通称“裸 芯片附着膜(DieAttachmentFilm)”，将粘贴于晶圆状态的晶圆实施单片化 而获得芯片，在粘晶时使用供将芯片与芯片搭载用基板予以粘接用的粘 接膜，相较于使用其他形态的填底胶材的下较为简便。

作为上述用途所使用的层叠片，在专利文献1中所公开的层叠片， 其中，具有在基材上形成粘着剂层的构成的背面研磨胶带、以及设置在 上述背面研磨胶带的上述粘着剂层上的树脂组合物层，上述粘着剂层为 放射线固化型粘着剂层。专利文献1的层叠片中，树脂组合物层具有上 述粘接膜的功能。

然而，专利文献1的层叠片，无法将凸块电极充分埋藏于该层叠片 中，若实施晶圆的背面研削，便会导致研削面出现凹洞(凹点)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利特开2013-123002号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

因此，本发明目的在于提供一种半导体接合用粘接片，其可埋藏凸 块电极等突起状电极，其结果，背面研削性优异。此外，本发明目的在 于提供一种半导体接合用粘接片，其在粘着剂层与粘接膜(粘接剂层)的界 面处的剥离性优异。

解决技术问题的技术手段

解决上述技术问题的本发明，包含有以下主旨。

[1]一种半导体接合用粘接片，其由基材、凹凸吸收层、粘着剂层、 及粘接剂层依次层叠而成，其中，

粘着剂层由能量线固化型粘着剂组合物的固化物构成，

粘接剂层可剥离地形成于粘着剂层上。

[2]如[1]所述的半导体接合用粘接片，其中，70℃下的凹凸吸收层的 tanδ为0.5以上。

[3]如[1]或[2]所述的半导体接合用粘接片，其中，该粘接片粘贴于表 面形成有突起状电极的半导体晶圆的表面，

粘接剂层的厚度比突起状电极的高度小。

[4]如[1]～[3]中任一项所述的半导体接合用粘接片，其中，凹凸吸收 层由含胺酯聚合物的固化性组合物的固化物、或乙烯-α-烯烃共聚物构成。

[5]一种半导体装置的制造方法，其为使用上述[1]～[4]中任一项所述 的半导体接合用粘接片的半导体装置的制造方法，其包括：

在晶圆上粘贴半导体接合用粘接片的粘接剂层的工序，以及对晶圆 背面实施研削的工序。

发明效果

本发明的半导体接合用粘接片可适用于覆晶安装方法，能将在半导 体晶圆表面上形成的电路的凹凸(例如突起状电极)埋藏于该粘接片中。因 此，可良好地实施半导体晶圆的背面研削。此外，本发明的半导体接合 用粘接片的粘着剂层与粘接剂层的界面处的剥离性优异。

附图说明

图1为表示本发明第1构成的半导体接合用粘接片的图；

图2为表示本发明第2构成的半导体接合用粘接片的图。

具体实施方式

以下，针对本发明的半导体接合用粘接片更进一步进行具体说明。 如图1及图2所示，本发明的半导体接合用粘接片10由基材1、凹凸吸 收层2、粘着剂层3、及粘接剂层4依次层叠而成。

(基材)