[发明专利]使用远程等离子体CVD技术的低温氮化硅膜

权利要求书

1.一种方法，包含下列步骤：

在低于300摄氏度的沉积温度下，通过远程等离子体化学气相沉积工艺在基板上形成氮化硅层，其中所述远程等离子体化学气相沉积工艺利用处理气体混合物，其中所述处理气体混合物包括：三(二甲胺基)硅烷、双叔丁基胺基硅烷或六甲基环三硅氮烷，且其中所述处理气体混合物被激发以在等离子体腔中形成等离子体，所述等离子体腔在处理区域的远程，所述等离子体腔由第一电极和第二电极限定，所述第一电极和所述第二电极由绝缘体环而电绝缘。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述沉积温度范围从20摄氏度至250摄氏度。

3.如权利要求2所述的方法，其中当所述沉积温度为20摄氏度时，所述氮化硅层具有1.8的折射率。

4.如权利要求2所述的方法，其中当所述沉积温度高于20摄氏度时，所述氮化硅层具有2.2的折射率。

5.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：固化所述氮化硅层。

6.如权利要求5所述的方法，其中固化所述氮化硅层包括UV固化或电子束固化。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述处理气体混合物进一步包括载气。

8.一种方法，包含下列步骤：

通过远程等离子体化学气相沉积工艺在基板上形成氮化硅层，其中沉积温度范围从20摄氏度至250摄氏度，其中所述远程等离子体化学气相沉积工艺利用处理气体混合物，其中所述处理气体混合物包括：三(二甲胺基)硅烷、双叔丁基胺基硅烷、六甲基环三硅氮烷、氩或上述各项的组合，并且其中所述处理气体混合物被激发以在等离子体腔中形成等离子体，所述等离子体腔在处理区域的远程，所述等离子体腔由第一电极和第二电极限定，并且所述第一电极和所述第二电极由绝缘体环而电绝缘。

9.如权利要求8所述的方法，其中当所述沉积温度为20摄氏度时，所述氮化硅层具有1.8的折射率。

10.如权利要求9所述的方法，其中当所述沉积温度高于20摄氏度时，所述氮化硅层具有2.2的折射率。

11.如权利要求8所述的方法，进一步包含以下步骤：固化所述氮化硅层。

12.如权利要求11所述的方法，其中固化所述氮化硅层包括UV固化或电子束固化。