[发明专利]用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件有效
申请号: | 201480057339.3 | 申请日: | 2014-09-02 |
公开(公告)号: | CN105637636B | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 卢茨·赫佩尔 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L33/00;H01L33/62 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 丁永凡;张春水 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 光电子 半导体器件 方法 | ||
提出一种用于制造多个光电半导体器件(1)的方法,所述方法具有如下步骤:a)提供具有多个半导体本体区域(200)的半导体层序列(2);b)提供多个载体本体(3),所述载体本体分别具有第一接触结构(31)和第二接触结构(32);c)构成具有半导体层序列和载体本体的复合件(4),使得相邻的载体本体通过间隙(35)彼此分离并且每个半导体本体区域与相关联的载体本体的第一接触结构和第二接触结构导电连接;以及d)将复合件分割成多个半导体器件,其中半导体器件分别具有半导体本体(20)和载体本体。此外,提出一种光电子半导体器件(1)。
技术领域
本发明涉及一种用于制造光电子半导体器件的方法和一种光电子半导体器件。
背景技术
随着对半导体器件小型化的要求的提高,对光电子半导体器件例如发辐射二极管的需求提高,其中设置用于产生辐射或设置用于接收辐射的半导体芯片的壳体其横向扩展不大于或至少不显著地大于半导体芯片本身。
然而,具有同样良好的光电子特性的这种构型的制造意味着一定的技术挑战。
发明内容
目的是提出一种方法,借助所述方法能够简单且可靠地制造尤其紧凑的光电子半导体器件。此外,应提出一种光电子半导体器件,所述光电子半导体器件的特征在于紧凑的构型和同时良好的光电子特性。
这些目的尤其通过本发明的半导体器件或方法实现。所述方法具有如下步骤:a)提供具有多个半导体本体区域的半导体层序列;b)提供多个载体本体,所述载体本体分别具有第一接触结构和第二接触结构;c)构成具有所述半导体层序列和所述载体本体的复合件,使得相邻的载体本体通过间隙彼此分离并且每个半导体本体区域与相关联的载体本体的所述第一接触结构和所述第二接触结构导电连接;以及d)将所述复合件分割成多个半导体器件,其中所述半导体器件分别具有半导体本体和载体本体。所述半导体器件具有:半导体本体,所述半导体本体具有半导体层序列,所述半导体层序列具有设置用于产生和/或接收辐射的有源区域;和载体本体,所述半导体本体固定在所述载体本体上,其中,所述载体本体在背离所述半导体本体的背侧上具有用于外部电接触所述半导体器件的第一接触部和第二接触部;在所述半导体本体和所述载体本体之间设置有金属的中间层用于所述半导体本体和所述接触部之间导电连接;所述载体本体的侧沿至少局部地由填充材料包围,和所述半导体本体在所述半导体器件的俯视图中至少局部地伸出所述载体本体。
提出一种用于制造多个光电子半导体器件的方法。
根据所述方法的至少一个实施方式,所述方法包括如下步骤,在所述步骤中提供具有多个半导体本体区域的半导体层序列。将半导体层序列的横向区域理解为半导体本体区域,在制造光电子半导体器件时从所述横向区域中产生光电子半导体器件的半导体本体、尤其刚好一个半导体本体。半导体层序列例如包括设置用于产生和/或接收电磁辐射的有源区域。有源区域例如设置在第一传导类型的第一半导体层和与第一传导类型不同的第二传导类型的第二半导体层之间。为了电接触第二半导体层,每个半导体本体区域例如都具有一个凹部或多个凹部,所述凹部穿过第一半导体层和有源区域延伸到第二半导体层中。
根据所述方法的至少一个实施方式,所述方法包括如下步骤,在所述步骤中提供多个载体本体。载体本体例如分别具有第一接触结构和第二接触结构。第一接触结构和第二接触结构适当地不直接彼此导电连接。载体本体优选包含半导体材料、例如硅或锗,或者由这种材料构成。
载体本体例如能够设置到辅助载体上,例如刚性的辅助载体或柔性的辅助载体上。
根据所述方法的至少一个实施方式,所述方法包括如下步骤,在所述步骤中构成具有半导体层序列和载体本体的复合件。载体本体固定在半导体本体区域上,使得相邻的载体本体通过间隙彼此分开并且每个半导体本体区域与相关联的载体本体的第一接触结构和第二接触结构导电连接。
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