[发明专利]用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件

权利要求书

1.一种用于制造多个光电半导体器件(1)的方法，所述方法具有如下步骤：

a)提供具有多个半导体本体区域(200)的半导体层序列(2)；

b)提供多个载体本体(3)，所述载体本体分别具有第一接触结构(31)和第二接触结构(32)；

c)构成具有所述半导体层序列和所述载体本体的复合件(4)，使得相邻的载体本体通过间隙(35)彼此分离并且每个半导体本体区域与相关联的载体本体的所述第一接触结构和所述第二接触结构导电连接；以及

d)将所述复合件分割成多个半导体器件，其中所述半导体器件分别具有半导体本体(20)和载体本体。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中在步骤a)中在生长衬底(29)上提供所述半导体层序列并且在步骤c)之后移除所述生长衬底。

3.根据权利要求2所述的方法，

其中所述生长衬底包含蓝宝石。

4.根据权利要求1所述的方法，

其中在步骤c)之后至少部分地用填充材料(5)填充所述间隙。

5.根据权利要求4所述的方法，

其中所述填充材料具有第一子区域(51)和第二子区域(52)，其中所述第一子区域局部地与所述复合件的结构一致地构成。

6.根据权利要求5所述的方法，

其中将所述第一子区域(51)至少部分地保留在所述半导体器件中而完全地移除所述第二子区域(52)。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的方法，

其中为了分割所述复合件在步骤d)中移除所述填充材料。

8.根据权利要求4至6中任一项所述的方法，

其中在分割时仅沿着分割线移除所述填充材料并且所述填充材料在所述分割线的侧面保留在所述半导体器件中。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，

其中在步骤d)中在背离所述半导体本体区域的一侧上构成第一接触部(310)和第二接触部(320)，并且其中所述第一接触部和/或所述第二接触部经由穿过所述载体本体的贯通孔(33)与相关联的所述半导体本体区域导电连接。

10.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，

其中在背离所述半导体层序列的背侧(40)上打薄所述复合件。

11.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，

其中在步骤c)中所述半导体层序列连续地在所述半导体本体区域上延伸。

12.根据权利要求9所述的方法，

其中在分割时割断所述半导体层序列。

13.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，

其中在步骤d)之前在相邻的半导体本体区域之间构成分隔沟槽。

14.根据权利要求1所述的方法，

其中

-在步骤a)中在生长衬底(29)上提供所述半导体层序列；

-在步骤c)之后用填充材料(5)至少部分地填充所述间隙；

-在填充所述间隙之后移除所述生长衬底；以及

-在移除所述生长衬底之后分割所述复合件，其中在分割时至少部分地移除所述填充材料。

15.根据权利要求1所述的方法，

其中

-在步骤a)中在生长衬底(29)上提供所述半导体层序列；

-在步骤c)之后移除所述生长衬底；

-在所述半导体层序列的背离所述载体本体的一侧上借助于化学方法构成结构化部(15)；以及

-在构成所述结构化部时借助填充材料(5)至少部分地填充所述间隙，所述填充材料相对于所述化学方法是稳定的。