[发明专利]光功率分离器在审
申请号: | 201480056383.2 | 申请日: | 2014-10-09 |
公开(公告)号: | CN105683793A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 西恩·安德森;拉维·谢卡尔·图米甸;马克·韦伯斯特 | 申请(专利权)人: | 思科技术公司 |
主分类号: | G02B6/12 | 分类号: | G02B6/12;G02B6/122;G02B6/125 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 肖善强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 分离器 | ||
1.一种装置,包括:
第一波导,所述第一波导具有输入端、输出端和锥形部分;
第二波导,所述第二波导具有输入端、输出端和锥形部分;
其中所述第一波导和所述第二波导中每一个的锥形部分被安排为互相 邻近并且限定它们之间的间隙,所述锥形部分限定模式演进区域,所述模 式演进区域在所述第一波导和所述第二波导之间分配光能量。
2.如权利要求1所述的装置,其中,所述间隙具有大约500nm或更小 的宽度。
3.如权利要求1所述的装置,其中:
所述第一波导从第一横截面面积至第二横截面成锥形,并且所述第一 横截面面积大于所述第二横截面面积;以及
所述第二波导从第一横截面面积至第二横截面成锥形,并且所述第一 横截面面积小于所述第二横截面面积。
4.如权利要求1所述的装置,所述第一波导和所述第二波导的锥形部 分中的每一个锥形部分具有侧面,所述第一波导和所述第二波导中的每一 个波导的侧面被安排为互相面对的关系,并且限定它们之间的所述间隙。
5.如权利要求1所述的装置,其中,所述第一波导和所述第二波导包 括硅。
6.如权利要求1所述的装置,其中,所述第一波导和所述第二波导由 相同材料组成。
7.如权利要求1所述的装置,其中,包层材料被沉积在所述第一波导 和所述第二波导之上。
8.如权利要求7所述的装置,其中,所述包层材料从氮化镓、二氧化 硅、氮化硅、氮氧化硅、单晶硅、多晶硅材料、砷化镓和磷化铟中选择。
9.如权利要求1所述的装置,其中,所述第一波导和所述第二波导的 锥形部分是线性锥形。
10.如权利要求1所述的装置,其中,所述第一波导和所述第二波导 的锥形部分是非线性锥形。
11.如权利要求1所述的装置,其中,所述第二波导包括被安排在它 的输入侧并且远离所述第一波导进行延伸的弯曲延伸。
12.一种光分离器,包括:
第一波导,所述第一波导具有输入端、输出端和过渡部分,所述过渡 部分被安排在所述输入端与所述输出端之间,所述输入端适于接收向所述 输出端传播的光信号;
第二波导,所述第二波导具有输入端、输出端和过渡部分,所述过渡 部分被安排在所述输入端与所述输出端之间;并且
所述第一波导和所述第二波导中每一个的过渡部分被安排为互相邻近 并且限定它们之间的间隙,其中,在所述过渡部分处,所述光信号被分离 为在所述第一波导和所述第二波导中传播的两个相应的光信号。
13.如权利要求12所述的光分离器,其中,所述过渡部分是锥形的。
14.如权利要求12所述的光分离器,其中,所述间隙具有大约500nm 或更小的宽度。
15.如权利要求12所述的光分离器,其中,所述第一波导和所述第二 波导的锥形部分中的每一个锥形部分具有侧面,所述第一波导和所述第二 波导中的每一个波导的侧面被安排为互相面对的关系,并且限定它们之间 的所述间隙。
16.如权利要求12所述的光分离器,其中,所述第一波导和所述第二 波导包括硅。
17.如权利要求16所述的光分离器,其中,所述第一波导和所述第二 波导是在基板上形成的。
18.如权利要求17所述的光分离器,其中,包层材料被安排在所述第 一波导和所述第二波导之上,并且所述包层材料从氮化镓、氮化硅、氮氧 化硅、单晶硅、多晶硅材料、砷化镓和磷化铟中选择。
19.如权利要求12所述的光分离器,其中,所述第二波导包括被安排 在它的输入侧并且远离所述第一波导进行延伸的弯曲延伸。
20.一种光设备,包括:
第一波导,所述第一波导具有输入端、输出端和过渡部分,所述过渡 部分被安排在所述输入端与所述输出端之间,所述输入端适于接收向所述 输出端传播的光信号;
第二波导,所述第二波导具有输入端和过渡部分,所述过渡部分被安 排在所述第二波导的输出端;并且
所述第一波导和所述第二波导中每一个的过渡部分被安排为互相邻近 并且限定它们之间的间隙,其中,在所述过渡部分处,所述第二波导的光 信号被耦合至在所述第一波导中传播的光信号。
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