[发明专利]多层配线基板的制造方法

说明书

一种多层配线基板的制造方法，其具有：工序(1)，使用敷形法或直接激光法，设置从上层配线用金属箔到内层配线的通孔用孔、形成于该通孔用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出、以及在该金属箔的突出与所述通孔用孔的内壁之间形成的下方空间；以及工序(2)，通过在所述通孔用孔内和上层配线用金属箔上形成填充电镀层来填埋所述通孔用孔，所述工序(2)中通过形成填充电镀层而进行的通孔用孔的填埋如下进行：在填充电镀的中途使填充电镀的电流密度暂时降低，再使其增加。

技术领域

本发明涉及多层配线基板的制造方法，尤其涉及使用填充电镀液来形成层间连接的多层配线基板的制造方法。

背景技术

以往，采用如下多层配线基板的制造方法：在形成有配线的内层材料上，将半固化片或树脂膜和其上层的金属箔层叠一体化，利用激光设置通孔用孔，形成基底无电解镀层后，通过采用填充电镀液形成的电镀层(以下，有时简称为“填充电镀层”。)来填埋上述通孔用孔。

此时，尤其对于孔径与绝缘层厚度相比为同等程度、即纵横比为1左右以上的通孔，有在孔内部容易产生镀层空洞(以下，有时简称为“空洞”。)的倾向。作为抑制这样的镀层空洞的方法，提出了以低电流密度长时间进行的电镀方法、阶段性地控制电流密度的电镀方法(专利文献1)。此外，关于通孔的填埋，提出了从表面平滑性的观点出发将电镀层的形成分2次进行的方法(专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-318544号公报

专利文献2：日本特开2009-21581号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在通过利用敷形法、直接激光法的激光加工而形成的通孔用孔中，在作为激光加工入口的通孔用孔的开口部产生金属箔的突出，而由于该金属箔的突出，使得通孔用孔的截面形状中，开口部有时甚至变得比内部或底部窄。对于这样的通孔用孔，在由填充电镀物进行填充时，在开口部的金属箔的突出上析出的填充电镀层会在填充电镀物填充于通孔用孔内部之前堵住通孔用孔的开口部，成为产生镀层空洞的原因之一。

近年来，小型化、薄型化的要求越来越高，从而有通孔用孔的直径变得更小、绝缘层厚度变得更薄、纵横比变得更大的倾向，而伴随于此，该开口部的金属箔的突出相对于通孔用孔的直径、深度而言相对变大，因而容易影响镀层空洞的产生。还认为，在通孔内部产生的空洞会由于长时间的使用、严酷条件下的使用而产生不良状况。

专利文献1的方法中，作为具有由包含聚酰亚胺树脂等有机绝缘材料的绝缘层与包含铜等导体材料的配线交替层叠而成的多层结构的多层配线基板的制造方法，示出了控制电流密度以抑制空洞产生的方法，但本发明人进行了研究，结果是无法完全消除空洞。此外，专利文献2的方法中，虽然凹陷产生量得以减少，但没有得到抑制空洞产生的效果。

本发明的目的在于，提供一种对具有与绝缘层厚度同等程度的直径的通孔用孔也能够抑制填充电镀层的镀层空洞的多层配线基板的制造方法。

用于解决课题的方法

本发明涉及以下内容。

1.一种多层配线基板的制造方法，其具有：

工序(1)，将形成有内层配线的内层材料、绝缘层及上层配线用金属箔层叠一体化，使用敷形法或直接激光法，在上述上层配线用金属箔和绝缘层中设置：从上述上层配线用金属箔到内层配线的通孔用孔、形成于该通孔用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出、以及在该金属箔的突出与上述通孔用孔的内壁之间形成的下方空间；

工序(2)，在上述通孔用孔内和上层配线用金属箔上形成基底无电解镀层后，通过形成填充电镀层来填埋上述通孔用孔，从而形成将上述上层配线用金属箔与内层配线连接的通孔；以及