[发明专利]多层配线基板的制造方法

权利要求书

1.一种多层配线基板的制造方法，具有：

工序(1)，将形成有内层配线的内层材料、绝缘层及上层配线用金属箔层叠一体化，使用敷形法或直接激光法，在所述上层配线用金属箔和绝缘层中设置：从所述上层配线用金属箔到内层配线的通孔用孔、形成于该通孔用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出、以及在该金属箔的突出与所述通孔用孔的内壁之间形成的下方空间；

工序(2)，在所述通孔用孔内和上层配线用金属箔上形成基底无电解镀层后，通过形成填充电镀层来填埋所述通孔用孔，从而形成将所述上层配线用金属箔与内层配线连接的通孔；以及

工序(3)，对形成所述填充电镀层后的上层配线用金属箔进行配线形成，从而形成上层配线，

所述工序(2)中通过形成填充电镀层而进行的通孔用孔的填埋如下进行：在填充电镀的中途使填充电镀的电流密度暂时降低，再使其增加，

所述工序(2)中使填充电镀的电流密度暂时降低的时机为如下时机：形成于通孔用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出与所述通孔用孔的内壁之间的下方空间被填充电镀物填充，并且在通孔用孔的底面析出的填充电镀层的厚度小于或等于在所述通孔用孔的内壁和所述上层配线用金属箔上析出的填充电镀层的厚度时。

2.如权利要求1所述的多层配线基板的制造方法，

所述工序(2)中使填充电镀的电流密度暂时降低的时机为如下时机：

关于通孔的截面形状，形成于通孔用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出与所述通孔用孔的内壁之间的下方空间被填充电镀物填充，

并且，在通孔用孔的底面析出的填充电镀层的厚度小于或等于在所述通孔用孔的内壁和所述上层配线用金属箔上析出的填充电镀层的厚度时，

其中，维持与通孔用孔的深度相对于所述填充电镀前的通孔用孔的开口径之比即纵横比同等以上的纵横比时。

3.如权利要求1或2所述的多层配线基板的制造方法，所述工序(2)中使填充电镀的电流密度暂时降低的时机为如下时机：形成于通孔用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出与所述通孔用孔的内壁之间的下方空间被填充电镀物填充，并且在形成镀层空洞之前。

4.如权利要求1或2所述的多层配线基板的制造方法，所述工序(2)中在填充电镀的中途使填充电镀的电流密度暂时降低时电流密度的降低率大于或等于即将使其降低之前的50％。

5.如权利要求1或2所述的多层配线基板的制造方法，所述工序(2)中在填充电镀的中途使填充电镀的电流密度暂时降低后再使其增加时的电流密度大于或等于即将使其暂时降低之前的电流密度。