[发明专利]传送腔室气体净化装置、电子设备处理系统及净化方法有效
申请号: | 201480053795.0 | 申请日: | 2014-09-26 |
公开(公告)号: | CN105580107B | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
发明(设计)人: | 爱德华·吴;埃里克·A·英格哈特;特雷斯·莫瑞;阿扬·马宗达;史蒂夫·S·洪坎 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/302;H01L21/677 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传送 气体 净化 装置 电子设备 处理 系统 方法 | ||
1.一种传送腔室气体净化装置,所述传送腔室气体净化装置包括:
传送腔室,所述传送腔室适于容纳至少一部分的传送机械手,所述传送腔室至少部分地由侧壁、腔室盖及腔室底面形成,所述腔室盖具有多个分散的腔室入口,所述多个分散的腔室入口包括主要腔室入口及次要腔室入口,所述主要腔室入口的至少某些主要腔室入口定位在基板的传送路径上方,所述次要腔室入口的至少某些次要腔室入口布置在所述主要腔室入口之间。
2.如权利要求1所述的传送腔室气体净化装置,其中所述主要腔室入口及所述次要腔室入口可独立地控制。
3.如权利要求2所述的传送腔室气体净化装置,其中所述主要腔室入口及所述次要腔室入口耦接至流量控制组件。
4.如权利要求1所述的传送腔室气体净化装置,其中所述多个分散的腔室入口包括至少四个主要腔室入口。
5.如权利要求1所述的传送腔室气体净化装置,包括多个视窗,所述多个视窗形成在所述腔室盖中。
6.如权利要求1所述的传送腔室气体净化装置,其中至少某些所述多个分散的腔室入口包括扩散元件。
7.如权利要求1所述的传送腔室气体净化装置,其中所述主要腔室入口及所述次要腔室入口具有在进入所述传送腔室的各个进口处的不同的入口流动面积。
8.如权利要求1所述的传送腔室气体净化装置,包括多个分散的腔室出口,所述多个分散的腔室出口提供于所述腔室底面中。
9.如权利要求1所述的传送腔室气体净化装置,包括多个分散的腔室出口,所述多个分散的腔室出口提供于所述腔室底面中,其中至少某些所述多个分散的腔室出口与至少某些所述多个分散的腔室入口竖直对齐。
10.一种电子设备处理系统,所述电子设备处理系统包括:
根据权利要求1所述的传送腔室,其中所述传送腔室至少部分地由主机外壳形成,所述主机外壳具有侧壁、腔室盖及腔室底面;
多个分散的腔室入口,所述多个分散的腔室入口在所述腔室盖中;及
多个分散的腔室出口,所述多个分散的腔室出口在所述腔室底面中。
11.一种净化传送腔室的方法,所述方法包括以下步骤:
提供传送腔室,所述传送腔室至少部分地由腔室盖、侧壁及腔室底面形成,所述传送腔室容纳至少一部分的机械手,所述机械手适于将基板传输至自所述传送腔室进出的腔室及从自所述传送腔室进出的腔室传输基板;
借助净化气体的流入从所述传送腔室进行净化,所述净化气体是通过所述腔室盖中的多个分散的入口流入的;及
通过所述腔室底面中的多个分散的腔室出口排出所述净化气体。
12.如权利要求11所述的方法,其中从所述传送腔室进行净化的步骤进一步包括以下步骤:使所述净化气体通过多个扩散元件流入。
13.如权利要求11所述的方法,其中从所述传送腔室进行净化的步骤进一步包括以下步骤:在所述基板上方提供所述净化气体的实质上层状流。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造