[发明专利]硅酮组合物及导热性硅酮组合物的制造方法

说明书

技术领域

本发明是涉及一种硅酮组合物及导热性硅酮组合物的制造方法。

背景技术

半导体封装体等电子零件，使用时会放热及性能会因放热而降低已为众 人所知，作为解决这个问题的技术手段，已使用各种散热技术。一般的方法 可举例如：将散热器(heatspreader)等冷却构件配置在放热部附近并使两者密 合，来有效率的从冷却构件除热。

这时，如果在放热构件与冷却构件之间有间隙等，就会因为有导热性差 的空气介于其中而使导热效率变差，所以放热构件的温度不会充分降低。为 了防止这样的现象，目前已经为了防止空气介于其中的目的而使用一种散热 膏或散热片，其导热率良好且对构件的表面具有追随性(专利文献1～11)。

半导体封装体的热对策中，从散热性能的观点来看，优选是能够压缩成 较薄的放热膏，尤其是从可靠性的观点来看，优选是使用加热固化型的散热 膏，其散热膏不容易因放热部的放热、冷却的热历史等而流出(排出(pumping out))。通常，经常在加热固化型的散热膏中调配反应控制剂，而在涂布于放 热部后，在常温经过一定时间也不会固化。所以，也能够在涂布散热膏并经 过一定时间后，在其上放置散热器等冷却构件并使散热膏压缩至期望厚度并 加热固化，而压缩性良好。

另一方面，近年来，半导体封装体正在一直朝向小型化迈进，随着这个 小型化，也要求使散热膏的涂布图案微细化或涂布少量。这时，因为涂布的 散热膏的表面积增加等而引起反应控制剂挥发而加快反应速度，所以不能在 其上放置散热器等冷却构件并在使散热膏加热固化时将散热膏压缩至期望厚 度，也就是压缩性差，并且涂布的散热膏不会充分扩展至放热部整体，所以 有不能获得充分的散热性能的问题。

[现有技术文献]

(专利文献)

专利文献1：日本专利第2938428号公报；

专利文献2：日本专利第2938429号公报；

专利文献3：日本专利第3580336号公报；

专利文献4：日本专利第3952184号公报；

专利文献5：日本专利第4572243号公报；

专利文献6：日本专利第4656340号公报；

专利文献7：日本专利第4913874号公报；

专利文献8：日本专利第4917380号公报；

专利文献9：日本专利第4933094号公报；

专利文献10：日本特开2012-102283号公报；

专利文献11：日本特开2012-96361号公报。

发明内容

[发明所要解决的课题]

本发明是鉴于上述问题点而发明的，其目的在于，提供一种硅酮组合物 及导热性硅酮组合物的制造方法，所述硅酮组合物的压缩性、扩展性、导热 性优良。

[解决问题的技术手段]

为了解决上述问题，本发明提供一种硅酮组合物，其特征在于，含有下 述(A)～(D)成分：(A)有机聚硅氧烷，其1分子中具有至少2个脂肪族不饱和 烃基，且在25℃具有动粘度60～100000mm²/s：100质量份；(B)填充剂，其 包含铝粉末与氧化锌粉末：100～2000质量份；(C)有机氢聚硅氧烷，其1分 子中具有2个以上的与硅原子键结的氢原子也就是SiH基：(C)成分中的SiH 基的个数相对于(A)成分中的脂肪族不饱和烃基的合计个数成为0.5～1.5的 量；及，(D)铂族金属催化剂：以铂原子计是成为(A)成分的0.1～500ppm的 调配量；并且，所述硅酮组合物能够获得特定固化物，所述固化物是当使用 能够测定剪切弹性的粘弹性测定装置，在以10℃/分钟来从25℃升温至125 ℃、以2℃/分钟来从125℃升温至145℃、以0.5℃/分钟来从145℃升温至150 ℃后，一边在150℃维持7200秒一边测定前述硅酮组合物的储存弹性模量G’ 及耗损弹性模量G”时，从开始维持前述温度经过3000秒后的前述储存弹性 模量G’是10000Pa以下，从开始维持前述温度经过7200秒后的前述储存弹 性模量G’是100000Pa以下，且前述储存弹性模量G’高于前述耗损弹性模量 G”时，需要从开始维持前述温度经过800秒以上。