[发明专利]用于具有共源极线的存储单元的系统、方法和装置

说明书

用于实现具有共源极线的存储单元的系统、方法和装置被公开。方法包括在第一晶体管接收第一电压。第一晶体管可以被耦合到第二晶体管和被包括在第一存储单元中。方法包括在第三晶体管接收第二电压。第三晶体管可以被耦合到第四晶体管和被包括在第二存储单元中。第一和第二存储单元可以被耦合到共源极线。方法包括在第二晶体管的栅极和第四晶体管的栅极接收可以使它们操作于截止模式的第三电压。方法可以包括在第一晶体管的栅极接收第四电压。第四电压通过Fowler‑Nordheim隧穿可以引起在包括在第一晶体管中的电荷存储层中的变化。

相关申请的交叉引用

本申请要求递交于2014年6月26日、申请号为14/316,615的美国专利申请的权益，并且还根据35 U.S.C.§ 119(e)要求递交于2013年12月2日、申请号为61/910,764的美国临时专利申请的权益，两个申请均通过引用以其整体被并入本文用于所有目的。

技术领域

本公开大体涉及存储单元，并且更具体地，涉及具有共源极线的存储单元。

背景

非易失性存储设备当前广泛应用在当电力不可用或被终止时要求信息保存的电子组件中。非易失性存储设备可以包括只读存储器(ROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)和电可擦除可编程只读存储(EEPROM)设备。如今一些存储器阵列利用可以包括存储元件或电荷存储层的晶体管和栅极结构。电荷存储层可以被编程为基于施加于存储器阵列或被存储器阵列接收的电压来储存数据。

附图简述

图1图示了根据一些实施例实现的存储设备的例子的示意图。

图2图示了根据一些实施例实现的存储设备的另一个例子的示意图。

图3图示了根据一些实施例实现的存储单元的布局的例子。

图4图示了根据一些实施例实现的若干存储单元的布局的例子。

图5图示了根据一些实施例实现的存储单元的布局的截面的例子。

图6图示了根据一些实施例实现的存储单元的布局的另一个例子。

图7图示了根据一些实施例实现的编程方法的例子的流程图。

图8图示了根据一些实施例实现的擦除方法的例子的流程图。

图9图示了根据一些实施例实现的读取方法的例子的流程图。

图10图示了根据一些实施例实现的包括存储设备的处理系统的框图。

详细描述

在之后的描述中，为了提供对所呈现的概念的透彻理解而阐述了许多具体细节。所呈现的概念可以被实践，而无需一些或全部这些具体细节。在其他情况中，众所周知的过程操作没有被详细描述以免不必要地模糊描述的概念。虽然一些概念将结合具体例子进行描述，但要理解这些例子不是认定为限制性的。

存储器阵列可以利用可包括存储元件或电荷存储层的晶体管和栅极结构被实现。电荷存储层可以被编程为基于施加于存储器阵列或被存储器阵列接收的电压来储存数据。以此方式，存储器阵列可以包括按行和列布置的各种不同的存储单元，并且每一个可以能够储存至少一个数据值。电压可以被施加于每一个存储单元以对它们进行编程、擦除它们或读取它们储存的一个或多个数据值。