[发明专利]用于具有共源极线的存储单元的系统、方法和装置

权利要求书

1.一种用于实现存储单元的方法，所述方法包括：

在第一晶体管接收第一电压，所述第一晶体管被耦合到第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管被包括在第一存储单元中；

在第三晶体管接收第二电压，所述第三晶体管被耦合到第四晶体管，所述第三晶体管和所述第四晶体管被包括在第二存储单元中，所述第一存储单元和所述第二存储单元被耦合到共源极线；

在所述第二晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极接收第三电压；以及

在所述第一晶体管的栅极接收第四电压，所述第四电压通过Fowler-Nordheim隧穿引起被包括在所述第一晶体管中的电荷存储层的一个或多个电性质的变化，

其中所述第二晶体管和所述第四晶体管每一个都有在25纳米和180纳米之间的沟道长度。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

通过所述共源极线在所述第二晶体管的源极和所述第四晶体管的源极接收第五电压，并且

其中所述第三电压使所述第二晶体管和所述第四晶体管在截止模式下操作。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第五电压在-0.5V和-5V之间。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电压在所述第一晶体管的漏极被接收，并且其中所述第二电压在所述第三晶体管的漏极被接收。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一电压在-0.5V和-5V之间，并且其中所述第二电压在0.5V和5V之间。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一电压和所述第四电压之间的差值在4V和12V之间。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第三电压在-0.5V和-5V之间。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一晶体管是硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)晶体管。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第四电压通过Fowler-Nordheim隧穿引起所述SONOS晶体管中的电荷存储层的一个或多个电性质的变化。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述电荷存储层包括选自以下项组成的组的至少一种材料：氮氧化硅、氧化铝，氧化铪、氧化铪铝、氧化锆、硅酸铪、硅酸锆、氮氧化铪、氧化铪锆和氧化镧。

11.一种用于实现存储单元的设备，所述设备包括：

第一晶体管，其被配置为通过第一位线接收第一电压；

第二晶体管，其被耦合到所述第一晶体管和共源极线；

第三晶体管，其被配置为通过第二位线接收第二电压；以及

第四晶体管，其被耦合到所述第三晶体管和所述共源极线；

其中所述第一晶体管包括电荷存储层，所述电荷存储层被配置为响应于接收所述第一电压和第四电压通过Fowler-Nordheim隧穿改变一个或多个电性质，所述第四电压在所述第一晶体管的栅极被接收，

其中所述第二晶体管和所述第四晶体管每一个都有在25纳米和180纳米之间的沟道长度。

12.根据权利要求11所述的设备，其中，所述第二晶体管和所述第四晶体管被配置为在所述第一晶体管的编程期间响应于接收第三电压而在截止模式下操作，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管被包括在第一存储单元中，其中所述第三晶体管和所述第四晶体管被包括在第二存储单元中，其中所述第一存储单元被包括在存储单元阵列的第一行和第一列中，并且其中所述第二存储单元被包括在所述存储单元阵列的所述第一行和第二列中。

13.根据权利要求12所述的设备，其中所述共源极线被耦合到所述存储单元阵列的所述第一行中的所有存储单元。