[发明专利]硒化铜纳米粒子的制备

权利要求书

1.一种纳米粒子的群体，所述纳米粒子的群体包含：由式Cu_(2-x)Se表示的硒化铜纳米粒子，其中0≤x<2，

其中所述纳米粒子的表面经由硒-碳键与配体结合，并且

所述硒-碳键的硒是所述纳米粒子的表面的一部分。

2.根据权利要求1所述的群体，其中配体包含直链烷基。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的群体，其中所述配体包含C6-C10烷基。

4.根据权利要求1或2中任一项所述的群体，其中所述群体是单分散的。

5.根据权利要求1或2中任一项所述的群体，其中所述群体中所述纳米粒子的直径的标准偏差小于所述直径的平均值的10％。

6.一种组合物，所述组合物包含：

分散在溶剂中的硒化铜纳米粒子的群体，其中所述纳米粒子由式Cu_(2-x)Se表示，其中0≤x<2，

其中所述纳米粒子的表面经由硒-碳键与配体结合，并且

所述硒-碳键的硒是所述纳米粒子的表面的一部分。

7.根据权利要求6所述的组合物，所述组合物还包含溶解于所述溶剂中的游离硒醇分子。

8.根据权利要求6或7中任一项所述的组合物，所述组合物还包含具有式CuIn_1-aGa_aSe_2-bS_b的纳米粒子，其中a大于或等于0且小于或等于1，并且b大于或等于0且小于2。

9.根据权利要求6或7中任一项所述的组合物，其中所述溶剂是芳族烃。

10.根据权利要求8所述的组合物，其中所述纳米粒子具有硒铜矿晶体结构和六方硒铜矿晶体结构中的一种。

11.一种组合物，所述组合物包含：置于基板上的膜，其中所述膜包含由式Cu_(2-x)Se表示的纳米粒子，其中0≤x<2，

其中所述纳米粒子的表面经由硒-碳键与配体结合，并且

所述硒-碳键的硒是所述纳米粒子的表面的一部分。

12.根据权利要求11所述的组合物，其中所述膜还包含具有式CuIn_1-aGa_aSe_2-bS_b的纳米粒子，其中a大于或等于0且小于或等于1，并且b大于或等于0且小于2。

13.一种用于制备硒化铜纳米粒子的方法，所述方法包括实现纳米粒子前体组合物的转化，所述转化包括在有机溶剂中使铜前体和硒醇化合物反应，

其中所述硒化铜纳米粒子由下式表示

Cu_(2-x)Se

其中0≤x<2，

其中所制备的纳米粒子的表面经由硒-碳键与配体结合，并且

所述硒-碳键的硒是所述纳米粒子的表面的一部分。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述硒醇化合物是1-辛烷硒醇或1-十二烷硒醇。

15.根据权利要求13或14中任一项所述的方法，其中所述铜前体是乙酸铜。

16.一种形成半导体膜的方法，所述方法包括：

将制剂施加至基板以形成层，所述制剂包含分散在溶剂中的硒化铜纳米粒子的群体，其中所述纳米粒子由式Cu_(2-x)Se表示，其中0≤x<2，

其中所述纳米粒子的表面经由硒-碳键与配体结合，并且

所述硒-碳键的硒是所述纳米粒子的表面的一部分。