[发明专利]用于极紫外光源的输送系统

说明书

在由导管的第一端部限定的第一开口处接收与通过将靶混合物转换成发射出EUV光的等离子体而产生的碎屑结合的自由基，导管包括使自由基通过的材料，并且导管包括远离第一开口延伸并且限定出至少一个其他开口的侧壁，至少一个其他开口被定位成使自由基朝向在表面上积聚有碎屑的元件释放。导管中的自由基被朝向至少一个其他开口引导。自由基穿过至少一个其他开口并且到达元件的表面，以在不从EUV光源去除元件的情况下从元件的表面去除碎屑。

技术领域

所公开的主题涉及用于极紫外光源的输送系统。

背景技术

极紫外(“EUV”)光(例如具有约50nm或更小的波长的电磁辐射(有时也称作软x射线)并且包括处于大约13nm的波长的光)可以在光刻工艺中使用，以在例如硅晶片的衬底中产生极小的特征。

用以产生EUV光的方法包括但不限于将具有有着在EUV范围内的发射线的例如氙、锂或锡的元素的材料转换处于等离子状态。在一个这样的方法中，经常称为激光产生等离子体(“LPP”)的所要求的等离子体可以通过用可称作驱动激光的放大光束照射例如呈材料的微滴、板、带、流或簇的形式的靶材料来产生。对于该过程，等离子体典型地在密封容器、例如真空室中产生，并且使用各种类型的量测设备来监测。

发明内容

在一个总体方面中，一种清洁极紫外(EUV)光源中的元件的方法包括：在由导管的第一端部限定的第一开口处接收与通过将靶混合物转换成发射出EUV光的等离子体而产生的碎屑结合的自由基，导管包括使自由基通过的材料，并且导管包括远离第一开口延伸并且限定出至少一个其他开口的侧壁，至少一个其他开口穿过侧壁并且被定位成使自由基朝向在表面上积聚有碎屑的元件释放；将导管中的自由基朝向至少一个其他开口引导；以及使自由基穿过至少一个其他开口并且到达元件的表面，以在不从EUV光源去除元件的情况下从元件的表面去除碎屑。

实施可以包括下面的特征中的一个或多个。自由基可以通过腐蚀从元件的表面上去除碎屑。

由侧壁限定的至少一个其他开口可以是不同尺寸的多个开口，每个开口穿过侧壁，并且使自由基穿过至少一个其他开口可以包括使自由基穿过多个开口。穿过侧壁的多个开口中的最小的开口可以是最靠近第一开口的开口，并且穿过侧壁的多个开口中的最大的开口可以是距第一开口最远的开口。多个开口的尺寸可以在多个开口中的最小的开口与多个开口中的最大的开口之间增加。

碎屑可以以均匀速率从元件的表面被去除。

由导管限定的至少一个其他开口可以相对于元件定位。将由导管限定的至少一个其他开口相对于元件定位可以包括使至少一个其他开口相对于元件移动。至少一个其他开口可以在平行于元件的周界的平面中移动。至少一个其他开口可以相对于包括元件的周界的平面转动。

导管中的自由基可以通过在自由基的源与至少一个其他开口之间产生压力差而被朝向至少一个其他开口引导，其中至少一个其他开口与自由基的源相比处于较低压力并且与导管外的区域相比处于较高压力。

在另一总体方面中，一种系统包括极紫外光源，其包括：产生放大光束的源；真空室；将靶材料朝向真空室中的靶位置引导的靶材料传送系统，靶位置接收放大光束，并且靶材料包括当被转换成等离子体时发射出极紫外光的材料；以及接收并反射发射出的极紫外光的收集器。系统还包括基团输送系统，其包括：包括使自由基通过的材料的导管，导管限定出由导管的第一端部限定的第一开口和由导管的侧壁限定的至少一个其他开口，导管的侧壁穿过真空室的壁并且被定位成使第一开口在真空室外，并且至少一个其他开口在真空室内并且朝向收集器被定向。

实施可以包括下面的特征中的一个或多个。

基团输送系统还可以包括自由基的源。

基团输送系统可以包括多个导管。