[发明专利]用于极紫外光源的输送系统有效
申请号: | 201480049748.9 | 申请日: | 2014-08-21 |
公开(公告)号: | CN105580117B | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | S·德德亚;A·I·厄肖夫;B·W·维尔霍夫;G·J·威尔森;B·拉方泰内 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;吕世磊 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 紫外 光源 输送 系统 | ||
1.一种清洁极紫外(EUV)光源中的元件的方法,所述方法包括:
相对于所述元件布置导管,所述元件位于所述EUV光源的真空室内并且在从等离子体发射出的EUV光以及通过将靶材料转换成发射出所述EUV光的所述等离子体而产生的碎屑的路径中,所述导管包括侧壁,所述侧壁包括弯曲部分和线性部分,所述导管被布置成使得所述线性部分穿过所述真空室的壁并且所述弯曲部分位于所述真空室内;
在由所述导管的第一端部限定的第一开口处接收移动气体和自由基,所述移动气体被配置为承载所述导管中的所述自由基,并且所述自由基被配置为与通过将所述靶材料转换成发射出EUV光的等离子体而产生的所述碎屑结合,所述导管由金属材料制成并且具有内表面,所述导管的整个内表面涂覆有具有5×10-3或更小的复合系数的材料,并且所述导管限定出多个其他开口,所述其他开口穿过所述侧壁的所述弯曲部分并且被定位成使所述自由基朝向在表面上积聚有所述碎屑的元件释放;
引导所述移动气体以朝向所述多个其他开口承载所述导管中的所述自由基,所述移动气体具有一速度并且在所述导管中产生背压,所述背压和所述速度处于不同方向上;
通过增加所述移动气体的所述速度,来减小所述自由基在所述导管中所花费的时间量,所述移动气体的增加的速度改变所述导管中的所述背压;以及
使所述自由基穿过所述多个其他开口中的至少一个其他开口并且到达所述元件的所述表面,以在不从所述EUV光源去除所述元件的情况下从所述元件的所述表面去除所述碎屑。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述自由基通过腐蚀从所述元件的所述表面上去除所述碎屑。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述多个其他开口包括不同尺寸的开口,每个开口穿过所述侧壁,并且使所述自由基穿过所述至少一个其他开口包括使所述自由基穿过所述多个开口。
4.根据权利要求3所述的方法,其中穿过所述侧壁的所述多个开口中的最小的开口是最靠近所述第一开口的所述开口,并且穿过所述侧壁的所述多个开口中的最大的开口是距所述第一开口最远的所述开口。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述多个开口的所述尺寸在所述多个开口中的所述最小的开口与所述多个开口中的所述最大的开口之间增加。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述碎屑以均匀速率从所述元件的所述表面被去除。
7.根据权利要求1所述的方法,进一步包括将由所述导管限定的所述至少一个其他开口相对于所述元件定位。
8.根据权利要求7所述的方法,其中将由所述导管限定的所述至少一个其他开口相对于所述元件定位包括使所述至少一个其他开口相对于所述元件移动。
9.根据权利要求7所述的方法,其中所述至少一个其他开口在平行于所述元件的周界的平面中移动。
10.根据权利要求7所述的方法,其中所述至少一个其他开口相对于包括所述元件的周界的平面转动。
11.根据权利要求1所述的方法,其中将所述导管中的所述自由基朝向所述至少一个其他开口引导包括:在所述自由基的源与所述多个其他开口之间产生压力差,其中所述至少一个其他开口与所述自由基的所述源相比处于较低压力并且与所述导管外的区域相比处于较高压力。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造