[发明专利]具有封装的光阻隔件的支撑环

说明书

本文所述的实施方式提供一种热处理设备，该热处理设备具有热源以及旋转基板支座，该旋转基板支座与该热源相对，该旋转基板支座包括支撑构件，该支撑构件具有光阻挡构件。光阻挡构件可以是封装的部件，或可移动式设置在支撑构件内侧。光阻挡构件可以是不透明及/或反射性，且可为耐火金属。

领域

本文所述的实施方式一般涉及半导体基板的热处理。更详言之，本文所述的实施方式涉及控制热处理腔室中光噪声(light noise)的设备与方法。

背景

在半导体工业中常见热处理。热处理用于激活(activate)半导体基板中化学与物理的变化，以重组基板的原子结构与组成。在常用的方法(已知为快速热处理)中，基板以多达每秒400℃的速率加热至目标温度，保持在目标温度达诸如1秒的短暂时间，之后快速冷却至一温度，低于该温度则不会有进一步的变化发生。

为了增进基板所有区域的均匀处理，一般会布置温度传感器以监视基板多个位置的温度。广泛使用高温计测量基板温度。基板温度的控制与测量因热吸收与光发射而复杂化，因此原位(local)层形成条件也复杂化，而热吸收与光发射是由腔室部件以及传感器与腔室表面暴露于处理腔室内的处理条件所造成。仍持续需要具改良的温度控制、温度测量的热处理腔室，以及操作此类腔室以改善均匀度与再现性的方法。

概述

本文所述的实施方式提供一种热处理设备，该热处理设备具有热源以及旋转基板支座，该旋转基板支座与该热源相对，该旋转基板支座包括支撑构件，该支撑构件具有光阻挡构件。光阻挡构件可以是封装的部件，或可以移动式设置在支撑构件内侧。光阻挡构件可以是不透明及/或反射性，且可为耐火金属。

本文所述的实施方式进一步提供一种用于在热处理腔室中的旋转基板支座的支撑构件，该支撑构件具有磁性转子、连接该磁性转子的壁、以及光阻挡构件，该磁性转子与该壁共同限定内部空间，而该光阻挡构件移动式设置在该内部空间内侧。该光阻挡构件可以是具伸缩接头(expansion joint)的金属片，且该壁可具有多个定位件，所述定位件将该金属片定位在该内部空间内。

附图简要说明

通过参考实施方式(一些实施方式绘示于附图中)，可得到上文简短总结的本发明的更特定的描述，而可详细了解前述的本发明特征。然而，应注意附图仅绘示本发明的典型实施方式，因此不应被视为限制本发明的范围，因为本发明可容许其他同等有效的实施方式。

图1是根据一个实施方式的热处理腔室的截面视图。

图2是根据另一实施方式的支撑构件的截面视图。

为助于了解，如可能则已使用同一标号指定各图共通的同一元件。应考虑一个实施方式中公开的元件可有益地用于其他实施方式而无须特定记叙。

具体描述

图1是根据一个实施方式的热处理腔室100的截面视图。热处理腔室100包括腔室主体35，该腔室主体35限定处理空间14，该处理空间14配置成处理在该处理空间14中的基板12。腔室主体35可由不锈钢制成，且可衬有石英。处理空间14配置成由加热灯组件16辐射式加热，该加热灯组件16配置成邻近石英窗18。一个实施方式中，石英窗18可为水冷式。

狭缝阀30可形成于腔室主体35的一侧上，以提供基板12至处理空间14的通道。气体入口44可连接气源45以提供处理气体、净化气体、及/或清洁气体至处理空间14。真空泵13可流体连通式(fluidly)通过出口11连接处理空间14，而用于泵抽(pump out)处理空间14。