[发明专利]监测光掩模缺陷率的改变

说明书

本发明揭示检验在规格内的光罩以便产生指示每一异常光罩特征的位置和尺寸值的基线事件。于在光刻中使用所述光罩后，检验所述光罩以便产生指示每一异常光罩特征的位置和尺寸值的当前事件。产生候选缺陷和其图像的检验报告，使得这些候选缺陷包含所述当前事件的第一子集和其对应的候选缺陷图像，且排除所述当前事件的第二子集和其对应的被排除图像。所述第一所包含事件中的每一者具有无法匹配任何基线事件的位置和尺寸值的位置和尺寸值，且所述被排除的第二事件中的每一者具有匹配基线事件的位置和尺寸值的位置和尺寸值。

相关申请案的交叉参考

本申请案根据35U.S.C.§119规定主张2013年7月29日由贯春(Chun Guan)等人申请的标题为“用于监测光掩模缺陷的变化的方法(Methods for Monitoring Changes inPhotomask Defectivity)”的第61/859,670号先前美国临时申请案的优先权，所述申请案的全文出于所有目的以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明大体上涉及光罩检验的领域。更特定来说，本发明涉及用于在IC(集成电路)制造背景中重新检定单裸片光罩的合格性的技术。

背景技术

一般来说，半导体制造产业涉及用于使用在衬底上分层和图案化的半导体材料(例如硅)制造集成电路的高度复杂技术。归因于大规模的电路集成和半导体装置的尺寸减小，所制造的装置已变得对缺陷越来越敏感。即，引起装置中的故障的缺陷正变得越来越小。在运输到最终用户或客户之前所述装置是无故障的。

集成电路通常由多个光罩制造。光罩的产生和此类光罩的随后光学检验在半导体生产中已变为标准步骤。最初，电路设计者提供电路图案数据(所述数据描述特定集成电路(IC)设计)到光罩生产系统或光罩写入器。所述电路图案数据通常呈经制造的IC装置的物理层的代表性布局的形式。所述代表性布局包含针对IC装置(例如，栅极氧化物、多晶硅、金属化等等)的每一物理层的代表性层，其中每一代表性层由定义特定IC装置的层图案化的多个多边形组成。

光罩写入器使用电路图案数据来写入(例如，通常，电子束写入器或激光扫描仪用于暴露光罩图案)稍后将用于制造特定IC设计的多个光罩。接着，光罩检验系统可针对在光罩的生产期间可能已出现的缺陷检验光罩。

光罩或光掩模为含有至少透明和不透明区域，且有时含有半透明和相移区域的光学元件，所述区域一起定义电子装置(例如集成电路)中的共面特征的图案。在光刻期间使用光罩来界定半导体晶片中用于蚀刻、离子植入或其它制造工艺的指定区域。

在制造每一光罩或光罩群组后，每一新的光罩通常无缺陷或劣化。然而，光罩可能在使用后变得有缺陷。因此，尤其对于单裸片光罩，需要不断改进光罩检验技术。

发明内容

下文呈现本发明的简化概述以便提供对本发明的某些实施例的基本了解。此概述并非本发明的详尽综述且其并未识别本发明的关键/重要元件或描绘本发明的范围。其唯一目的是以简化形式呈现本文中所揭示的一些概念作为稍后呈现的更详细描述的序言。

在一个实施例中，揭示一种检验光刻光罩的方法。光罩检验工具用于执行已识别为在规格内的光罩的第一单裸片检验以便产生对应于所述光罩的多个异常基线特征的多个基线事件，且每一基线事件指示对应异常基线特征的位置和尺寸值。或者，基于从所述光罩的设计数据库模拟的所述光罩的图像产生基线事件。周期性地，在使用光罩的每一如此多曝光后，通过执行随后检验重新检定所述光罩的合格性。每一随后检验产生对应于所述光罩上的多个当前异常特征的多个当前事件，且每一当前事件指示对应的当前异常特征的位置和尺寸值。