[发明专利]监测光掩模缺陷率的改变

权利要求书

1.一种检验光刻光罩的方法，所述方法包括：

执行已识别为在规格内的光罩的第一单裸片检验以便产生对应于所述光罩的多个异常基线特征的多个基线事件，其中每一基线事件指示对应异常基线特征的位置和尺寸值；

于在一或多个光刻工艺中使用所述光罩后，经由光罩检验工具执行所述光罩的第二单裸片检验以便产生对应于所述光罩的多个当前异常特征的多个当前事件，其中每一当前事件指示对应的当前异常特征的位置和尺寸值；以及

产生多个候选缺陷和其图像的检验报告，其中所述候选缺陷和其图像包含所述当前事件的第一子集和其对应的多个候选缺陷图像且排除所述当前事件的第二子集和其对应的多个经排除图像，其中包含于所述检验报告中的当前事件的所述第一子集中的每一者具有无法以预定义量匹配任何基线事件的位置和尺寸值的位置和尺寸值，且从所述检验报告排除的当前事件的所述第二子集中的每一者具有以所述预定义量匹配任何基线事件的位置和尺寸值的位置和尺寸值。

2.根据权利要求1所述的方法，其中至少一些所述基线事件对应于多个光罩特征，所述多个光罩特征经设计为相同的，之后对此类光罩特征实施光学邻近校正OPC过程以添加OPC装饰使得此类光罩特征不再相同。

3.根据权利要求1所述的方法，其中至少一些所述基线事件对应于并非为用于此光罩的原始设计的部分且经确定为使用此光罩并不限制晶片良率的光罩特征。

4.根据权利要求1所述的方法，其中至少一些所述基线事件对应于已确定为在使用所述光罩的光刻工艺期间并未印刷在晶片上的光罩特征。

5.根据权利要求1所述的方法，其中至少一些所述基线事件对应于用于校正所述光罩上的缺陷的修复特征。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一和第二单裸片检验基于光罩特征的背景确定所述光罩的非典型特征。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一和第二单裸片检验包含模板匹配。

8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括摒弃所述基线事件的多个基线图像和摒弃对应于所述当前事件的所述第二子集的所述多个经排除图像。

9.根据权利要求1所述的方法，其中每一基线事件进一步指示通道且从所述检验报告排除的当前事件的所述第二子集中的每一者具有以预定义量匹配任何基线事件的通道以及位置和尺寸值的通道以及位置和尺寸值。

10.根据权利要求1所述的方法，其中产生所述候选缺陷和其图像的所述检验报告包括：

对于具有无法以预定义量匹配任何基线事件的位置和尺寸值的位置和尺寸值的每一当前事件，通过执行具有比所述第二单裸片检验较不严格的阀值或算法的第三单裸片检验来确定此当前事件是否为候选缺陷。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述候选缺陷图像和所述经排除的图像包含经反射图像、经透射图像或组合的经反射和透射图像的一或多个组合。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述候选缺陷和其图像进一步包含各自具有以预定义量匹配任何基线事件的位置和尺寸值且经识别为修复位置的位置和尺寸值的当前事件的第三子集。

13.根据权利要求1所述的方法，其中使用光罩检验工具来执行所述第一单裸片检验。

14.根据权利要求1所述的方法，其中对从设计数据库产生的光罩图像执行所述第一单裸片检验。