[发明专利]用于腔室端口的气体设备、系统及方法有效
申请号: | 201480049216.5 | 申请日: | 2014-09-24 |
公开(公告)号: | CN105556640B | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
发明(设计)人: | 纳根德拉·V·马迪瓦;罗伯特·欧文·德科蒂尼斯;安德鲁·阮;保罗·B·路透;安吉拉·R·斯科;迈克尔·库查尔;特雷斯·莫瑞;米切尔·迪桑图 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 端口 气体设备 系统 方法 | ||
1.一种电子装置制造系统的腔室端口组件,包括:
盖体,所述盖体具有形成于其中的气体入口以及延伸通过其中的第一气体通道,所述第一气体通道流体连通于所述气体入口;
气体导管构件,所述气体导管构件具有延伸通过其中的第二气体通道,所述第二气体通道流体连通于所述第一气体通道;
框插件,所述框插件具有第三气体通道,所述第三气体通道流体连通于所述第二气体通道;及
一或更多个气体喷嘴,所述一或更多个气体喷嘴耦接于所述框插件并且流体连通于所述第三气体通道,所述一或更多个气体喷嘴配置来导引在所述气体入口处所接收的气流至基板传送区域,当基板从第一腔室传送通过所述腔室端口组件至第二腔室时,所述基板传送区域配置来接收所述基板。
2.如权利要求1所述的腔室端口组件,进一步包括第二气体导管构件,所述第二气体导管构件具有延伸通过其中的第四气体通道,所述第四气体通道流体连通于所述第一气体通道与所述第三气体通道。
3.如权利要求1所述的腔室端口组件,进一步包括第二气体导管构件,所述第二气体导管构件具有延伸通过其中的第四气体通道,所述第四气体通道流体连通于所述第一气体通道,其中所述框插件具有第五气体通道,所述第五气体通道连通于所述第四气体通道与所述一或更多个气体喷嘴的某些喷嘴。
4.如权利要求1所述的腔室端口组件,进一步包括流量阀机构,所述流量阀机构包括门,所述门具有关闭位置,所述关闭位置抵接于所述框插件并且密封至所述基板传送区域的开孔。
5.如权利要求1所述的腔室端口组件,其中所述盖体接合相抵于所述气体导管构件。
6.如权利要求1所述的腔室端口组件,其中所述气体导管构件设置于所述盖体与所述框插件之间。
7.一种电子装置制造系统,包括:
第一腔室,所述第一腔室配置来接收基板于其中;
第二腔室,所述第二腔室配置来接收基板于其中;
腔室端口组件,所述腔室端口组件接合所述第一腔室与所述第二腔室,所述腔室端口组件具有在所述第一腔室与所述第二腔室之间的基板传送区域,当基板传送通过所述第一腔室与所述第二腔室之间的所述腔室端口组件时,所述基板传送区域配置来接收所述基板;
气体入口;
气体导管构件,所述气体导管构件具有通过其中的气体通道,所述气体通道流体连通于所述气体入口;及
一或更多个气体喷嘴,所述一或更多个气体喷嘴配置来导引在所述气体入口处所接收的气流至所述基板传送区域。
8.如权利要求7所述的电子装置制造系统,其中所述腔室端口组件包括所述气体入口、所述气体导管构件、与所述一或更多个气体喷嘴。
9.如权利要求8所述的电子装置制造系统,其中所述腔室端口组件包括盖体,所述盖体具有形成于其中的所述气体入口。
10.如权利要求8所述的电子装置制造系统,其中所述腔室端口组件包括框插件,所述框插件包括所述一或更多个气体喷嘴。
11.如权利要求7所述的电子装置制造系统,其中所述第一腔室包括所述气体入口、所述气体导管构件、与所述一或更多个气体喷嘴,所述一或更多个气体喷嘴设置紧邻于所述第一腔室的腔室端口,所述腔室端口配置来接合所述腔室端口组件。
12.一种组装腔室端口组件的方法,所述腔室端口组件用于电子装置制造系统,所述方法包括:
提供盖体,所述盖体具有形成于其中的气体入口以及延伸通过其中的第一气体通道,所述第一气体通道流体连通于所述气体入口;
提供气体导管构件,所述气体导管构件具有延伸通过其中的第二气体通道;
提供框插件,所述框插件具有延伸通过其中的第三气体通道,所述框插件配置来接收一或更多个气体喷嘴,使得所述第三气体通道流体连通于所述一或更多个气体喷嘴;
耦接所述盖体、所述气体导管构件、与所述框插件,使得所述第一、第二、与第三气体通道流体连通于彼此;及
附接所述一或更多个气体喷嘴于所述框插件,使得所述一或更多个气体喷嘴配置来导引在所述气体入口处所接收的气流至所述腔室端口组件的基板传送区域中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480049216.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造