[发明专利]使用基于温度的NAND设置的闪速存储器系统耐久性改进有效
| 申请号: | 201480047574.2 | 申请日: | 2014-09-24 |
| 公开(公告)号: | CN105493194B | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
| 发明(设计)人: | Y.B.瓦克乔尔;K.潘加尔;郭炘 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
| 主分类号: | G11C16/04 | 分类号: | G11C16/04;G11C16/06 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 徐予红;姜甜 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 使用 基于 温度 nand 设置 存储器 系统 耐久性 改进 | ||
描述了使用基于温度的闪速存储器设置来改进闪速存储器系统耐久性的方法和设备。在一个实施例中,存储器控制器逻辑至少部分基于阈值温度值和闪速存储器存储装置的感测的温度的比较来将第一调整配置文件或第二调整配置文件中的一个应用于闪速存储器存储装置。还公开和请求保护了其它实施例。
技术领域
本公开通常涉及电子器件的领域。更具体地,一些实施例通常涉及在NAND闪速存储器中使用基于温度的设置来改进闪速存储器系统耐久性。
背景技术
通常,用来在计算系统中存储数据的存储器可以是易失性的(用来存储易失性信息)或非易失性的(用来存储持久性信息)。存储在易失性存储器中的易失性数据结构通常用于被要求在程序的运行时间期间支持程序的功能性的临时或中间信息。另一方面,存储在非易失性存储器中的持久性数据结构在过了程序的运行时间以后是可用的并且可以被再使用。此外,新的数据通常在用户或程序设计者决定使数据持久之前首先被生成为易失性数据。例如,程序设计者或用户可以促使易失性结构在直接可由处理器访问的易失性主存储器中的映射(即例示)。另一方面,持久性数据结构在像附连到输入/输出(I/O或IO)总线的旋转盘的非易失性存储装置上或者像闪速存储器的基于非易失性存储器的装置上被例示。
当处理器中的处理能力被增强时,一个所关切的事是可以由处理器访问存储器的速度。例如,为了处理数据,处理器可能需要首先从存储器中取数据。在数据处理完成之后,结果可能需要被存储在存储器中。因此,存储器速度可以对总体系统性能有直接影响。
另一个重要的需要考虑的事项是功耗。例如,在依赖于电池功率的移动计算装置中,降低功耗以考虑装置在移动的同时运行是非常重要的。对于非移动计算装置来说,功耗也是重要的,因为过量的功耗可能会增加成本(例如由于额外的功率使用,增加冷却要求等)、缩短部件寿命、限制装置可以被使用的位置等。
硬盘驱动器提供了相对低成本存储解决方案并且在许多计算装置中被使用来提供非易失性存储。然而,当与闪速存储器相比时,磁盘驱动器使用大量功率,因为磁盘驱动器需要以相对高的速度旋转它的磁盘并且相对于旋转磁盘来移动磁盘磁头以读取/写入数据。这个物理移动产生热量并且增加功耗。为此目的,一些更高端的移动装置正移向非易失性的闪速存储器装置。
NAND存储器是非易失性的一种类型的闪速存储器。NAND存储器可用在存储卡、闪速驱动器、固态驱动器和类似的产品中。然而,闪速存储器对存储单元变得不能使用之前存储单元中的信息可以被重写的次数有限制,也被称作有限数量的编程-擦除循环(还被称作P/E循环)。
附图说明
参考附图来提供详细的描述。在附图中,附图标记的最左边的一个或多个数字标识其中附图标记首次出现的附图。在不同附图中使用相同的附图标记指示类似的或者相同的项。
图1、5、6和7说明了计算系统的实施例的框图,所述计算系统可被利用来实现本文中讨论的各种实施例。
图2A、2B和4示出了根据一些实施例的与NAND装置有关的试样曲线图。
图3说明了根据实施例的用来在不同的调整配置文件(trim profile)之间切换的方法的流程图。
具体实施方式
在下面的描述中,阐明了许多具体的细节以便提供对各种实施例的透彻的理解。然而,在没有具体的细节的情况下可以实施各种实施例。在其它实例中,公知的方法、程序、部件和电路没有被详细地描述以便不会模糊特定的实施例。此外,可使用各种手段(例如集成半导体电路(“硬件”)、组织成一个或多个程序的计算机可读指令(“软件”)或者硬件和软件的某个组合)来执行实施例的各个方面。对这个公开来说,提及“逻辑”应当指或者硬件、软件或者它们的某个组合。
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