[发明专利]使用基于温度的NAND设置的闪速存储器系统耐久性改进

权利要求书

1.一种用来在NAND闪速存储器中使用基于温度的设置来改进闪速存储器系统耐久性的设备，所述设备包括：

存储器控制器逻辑，用来至少部分基于阈值温度值和闪速存储器存储装置的感测的温度的比较来将第一调整配置文件或第二调整配置文件中的一个应用于所述闪速存储器存储装置，其中所述存储器控制器逻辑要借助于所述第一调整配置文件或所述第二调整配置文件来以数据保持余量换取程序打扰PD并且其中多个可用的边缘余量中的偶数边缘要确定所述PD的余量，其中要至少部分基于所述闪速存储器存储装置的单元的多个读取参考电压值来确定所述多个可用的边缘余量。

2.如权利要求1所述的设备，还包括温度传感器，热接近于所述闪速存储器存储装置，用来检测所述感测的温度。

3.如权利要求1所述的设备，其中所述闪速存储器存储装置将要包括NAND闪速存储器或NOR闪速存储器。

4.如权利要求1所述的设备，其中所述闪速存储器存储装置将要至少部分基于一个或多个多级单元MLC电压电平而被编程。

5.如权利要求1所述的设备，其中所述存储器控制器逻辑将要至少部分基于所述阈值温度值和所述闪速存储器存储装置的随后感测的温度的随后的比较来将所述第一调整配置文件应用于所述闪速存储器存储装置，其中所述闪速存储器存储装置的所述随后感测的温度值高于所述闪速存储器存储装置的所述感测的温度。

6.如权利要求1所述的设备，其中所述存储器控制器逻辑将要至少部分基于随后的阈值温度值和所述闪速存储器存储装置的随后感测的温度的随后的比较来将第三调整配置文件应用于所述闪速存储器存储装置。

7.如权利要求1所述的设备，其中一个或多个处理器核耦合至所述存储器控制器逻辑以存取存储在所述闪速存储器存储装置中的数据。

8.如权利要求1所述的设备，其中所述存储器控制器逻辑将要执行对所述第一调整配置文件或第二调整配置文件的以下调节中的一个或多个：擦除更深以改进第一边缘余量、动态改变到单级单元SLC模式、优化调整设置用于更低温度、提供更慢的程序调整、或动态调节读取电压。

9.一种用来在NAND闪速存储器中使用基于温度的设置来改进闪速存储器系统耐久性的方法，所述方法包括：

至少部分基于阈值温度值和闪速存储器存储装置的感测的温度的比较来将第一调整配置文件或第二调整配置文件中的一个应用于所述闪速存储器存储装置，其中借助于所述第一调整配置文件或所述第二调整配置文件来以数据保持余量换取程序打扰PD并且其中多个可用的边缘余量中的偶数边缘要确定所述PD的余量，其中要至少部分基于所述闪速存储器存储装置的单元的多个读取参考电压值来确定所述多个可用的边缘余量。

10.如权利要求9所述的方法，进一步包括在热接近于所述闪速存储器存储装置的温度传感器处检测所述感测的温度。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述闪速存储器存储装置包括NAND闪速存储器或NOR闪速存储器。

12.如权利要求9所述的方法，进一步包括至少部分基于一个或多个多级单元MLC电压电平来编程所述闪速存储器存储装置。

13.如权利要求9所述的方法，进一步包括至少部分基于所述阈值温度值和所述闪速存储器存储装置的随后感测的温度的随后的比较来将所述第一调整配置文件应用于所述闪速存储器存储装置，其中所述闪速存储器存储装置的所述随后感测的温度值高于所述闪速存储器存储装置的所述感测的温度。

14.如权利要求9所述的方法，进一步包括至少部分基于随后的阈值温度值和所述闪速存储器存储装置的随后感测的温度的随后的比较来将第三调整配置文件应用于所述闪速存储器存储装置。