[发明专利]承载器

说明书

提供能够在抑制承载器的升温速度和热利用效率降低的同时改善热均匀性的承载器。该承载器(100)包括：板状的第一构件(10)，其具有用于载置晶圆的晶圆载置面；以及第二构件(20)，其用于支撑第一构件(10)并在垂直于晶圆载置面的方向上与第一构件(10)层叠。第一构件(10)的热传导率高于第二构件(20)的热传导率。

技术领域

本发明涉及包括具有凹部的基部构件的承载器，以及涉及包括位于上表面侧的用于载置晶圆的晶圆收纳部(wafer pocket)的承载器。

背景技术

迄今为止，在晶圆的表面上生成GaN等膜的处理期间已经使用被构造成保持晶圆的晶圆保持件(以下，“承载器”)。要求承载器具有诸如高耐热、高耐久和高强度等的特性。为此，对于该承载器，已经使用由高纯度碳化硅制成的碳化硅构件或涂覆有SiC膜等的碳材基部构件(例如，专利文献1和专利文献2)。

另外，要求在制造半导体元件和装置时使用的用于半导体热处理炉的半导体设备用的诸如夹具(晶圆船、承载器、保持件)等的各种构件具有诸如高耐热、高耐久和高强度等的特性。为此，使用了高纯度碳化硅(SiC)的碳化硅基部构件或涂覆有SiC膜等的碳基部构件已经被广泛使用。传统承载器通常为通过在石墨基部构件上执行CVD-SiC涂覆(通过化学气相沉积涂覆SiC)所获得的具有增强了耐腐蚀性的承载器。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-332096号公报

专利文献2：日本特开2010-239020号公报

发明内容

发明要解决的问题

同时，近些年，伴随着晶圆直径的增大和其它类似的趋势，承载器的晶圆载置面的尺寸也已经增大，从而要求承载器具有高的热均匀性。另一方面，考虑到承载器的升温速度和热利用效率，优选使承载器构成具有高热传导率的构件，并且优选使用由高纯度碳化硅制成的承载器。

然而，使用由高纯度碳化硅制成的承载器由于其高的热传导率而具有如下可能性：加热器的辐射可能被直接传递至晶圆，并且可能会发生不期望地不均匀加热。

因而，为了解决该第一问题而做出本发明，本发明的目的在于提供能够在抑制承载器的升温速度和热利用效率降低的同时获得改善了的热均匀性的承载器。

另外，在使用承载器一定时间(数月)之后，该承载器的CVD-SiC膜开始脱落，因而会导致从在其基部构件中的石墨产生杂质。为此，要求在短的时间内进行更换。承载器的这种短寿命增加了更换成本。

另外，伴随着晶圆直径的增大和其它类似的趋势，承载器的晶圆载置面的尺寸也已经增大，从而要求承载器具有更高的热均匀性。

为此，对完全由高纯度SiC制成的承载器的需求已经增长。然而，由于SiC的可加工性较差，所以制造该承载器会花费时间，并且SiC还是昂贵材料。因而，承载器的成本较高。

因而，为了解决该第二问题而做出本发明，本发明的目的在于提供即使该承载器不完全由高纯度SiC制成也能够获得比传统承载器长的寿命的承载器。

另外，近些年，伴随着晶圆直径的增大和其它类似的趋势，承载器的晶圆载置面的尺寸也已经增大，从而要求承载器具有更高的热均匀性。因而，考虑到承载器的升温速度和热利用效率，优选使承载器构成具有高热传导率的构件，并且优选使用由碳化硅(SiC)制成的承载器。然而，由于碳化硅具有大的比重，所以期望使该承载器轻量化。

用于减轻承载器的重量的可能的方式是将承载器的背面侧形成为凹状。

这里，绕着使承载器转动的主轴的中心，需要维持一定的厚度，以防止诸如由于通过主轴的排热而使热均匀性劣化等的不利效果。因而，承载器绕着主轴的中心、在其背面侧需要具有大的厚度。