[发明专利]承载器有效
申请号: | 201480047456.1 | 申请日: | 2014-08-29 |
公开(公告)号: | CN105493260B | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 小林文弥;熊谷祥;牛田和宏;大西正;石垣知徳 | 申请(专利权)人: | 株式会社普利司通 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C23C16/44;C23C16/458;H01L21/205 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载器 晶圆 第二构件 热传导率 载置 热利用效率 热均匀性 载置面 板状 垂直 支撑 | ||
1.一种承载器,其包括用于载置晶圆的晶圆收纳部,该承载器包括:
上侧构件,所述上侧构件在其上表面侧包括所述晶圆收纳部、在其下表面侧包括嵌合凹部并且由高纯度的碳化硅制成,所述嵌合凹部从比所述上侧构件的外周部靠内周侧的位置向上凹陷;以及
下侧构件,所述下侧构件在其上表面侧包括与所述嵌合凹部的底表面进行面接触的嵌合凸部,从而支撑所述上侧构件,其中
当所述上侧构件随着所述嵌合凸部插入所述嵌合凹部而配置于所述下侧构件时,在俯视时,所述下侧构件整体被所述上侧构件覆盖,并且所述外周部不与所述下侧构件接触。
2.根据权利要求1所述的承载器,其特征在于,当所述上侧构件配置于所述下侧构件时在所述外周部与所述下侧构件之间形成的间隙为0.1mm以下。
3.根据权利要求2所述的承载器,其特征在于,所述间隙被形成为从所述上侧构件的外周缘起朝向内周侧延伸1mm以上。
4.根据权利要求3所述的承载器,其特征在于,所述外周部的厚度为1mm以上。
5.根据权利要求3所述的承载器,其特征在于,预先确定形成所述晶圆收纳部的位置,使得当所述上侧构件配置于所述下侧构件时,所述晶圆收纳部的水平方向位置全部位于所述间隙的内周端的内周侧。
6.一种承载器,其包括:
板状的上侧构件,所述上侧构件包括用于载置晶圆的晶圆载置面,所述上侧构件由碳化硅制成;以及
下侧构件,所述下侧构件与所述上侧构件层叠并支撑所述上侧构件,所述下侧构件包括在转动中心位置处向下伸出的轴承部,所述下侧构件由碳化硅制成,其中
所述下侧构件包括形成所述轴承部的下表面侧的轴承下表面以及从所述轴承下表面的外周缘起斜向上平缓扩展并与在轴承部周围的下侧构件主体的下表面连续的扩展面,并且
从所述轴承下表面延伸的假想延长面与所述扩展面之间的角度在15°至80°的范围,所述扩展面包括与所述下侧构件主体的下表面连接并具有在0.1mm至10mm的范围的曲率半径的弯曲面。
7.根据权利要求6所述的承载器,其特征在于,从所述轴承部的开口壁下端部至所述外周缘的长度为1mm以上。
8.根据权利要求6或7所述的承载器,其特征在于,在面内包括所述轴承部的中心线的截面中,所述扩展面包括:
直线部,所述直线部与所述轴承下表面连续,以及
弯曲线,所述弯曲线与所述直线部和所述下侧构件主体的下表面连接并具有在0.1mm至10mm的范围的曲率半径。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造