[发明专利]曝光装置以及曝光方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于制造半导体装置、印刷基板、LCD等的曝光装置以及曝光方法。尤其涉及即使在掩膜尺寸增大的情况下，也能矫正掩膜的弯曲，实现完成品质的提高的曝光装置以及曝光方法。

背景技术

在制造半导体装置、印刷基板、LCD等的情况下，隔着具有规定图案的玻璃掩膜，使期望的图案曝光在工件上。在玻璃掩膜的尺寸增大的情况下，由于掩膜支架仅从边缘部支承玻璃掩膜，因此容易因自重在玻璃掩膜产生弯曲。在玻璃掩膜产生弯曲的情况下，曝光精度大大地降低。

因此，例如专利文献1中公开了一种曝光装置，其中，形成使玻璃掩膜作为其一部分的气密空间，通过与玻璃掩膜的弯曲方向相对应地将高压空气导入气密空间内，或降低气密空间内的内压(压力)，能矫正玻璃掩膜的弯曲。另外在专利文献2中也同样地公开了一种通过排出掩膜和金属薄板之间的密闭空间的空气，使掩膜和金属薄板密接的光掩膜密接方法。

进一步地，在专利文献3中，公开了对通过掩膜和光学板之间的流体的流量以及流速进行调整，从而来调整掩膜的弯曲量的曝光装置。在专利文献3中，利用检测器检测掩膜的弯曲量，根据弯曲量调整阀，使通过掩膜和光学板之间的流体的流量发生变化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2004-069902号公报

专利文献2：日本专利特开2004-133302号公报

专利文献3：日本专利特开2007-199569号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

专利文献1以及2中，对于气密空间(密闭空间)内的压力控制，需要使用昂贵的调节器等。然而，在掩膜的尺寸较大的情况下，需要进行压力控制的掩膜面积增大，因此存在如下问题：难以用压力控制对掩膜的整个面精细地调整弯曲量，难以根据掩膜的弯曲量进行校正。

另外专利文献3中，对光学板为了使流体方便通过需要实施适当的加工，而出现制造成本增大的问题。

本发明是为了解决上述的情况而完成的，其目的在于提供一种在掩膜尺寸较大的情况下也能对掩膜的弯曲进行适当的矫正，能以高精度进行曝光的曝光装置以及曝光方法。

解决技术问题所采用的技术方案

为了达成所述目的，本发明涉及的曝光装置，包括：光源；光学板，该光学板设置有掩膜图案；以及掩膜支架，该掩膜支架保持该光学板，在所述光学板的所述光源一侧形成气密空间，来自所述光源的光照射至所述光学板，使所述掩膜图案曝光在工件上，该曝光装置的特征在于，具有：压力调整机构，该压力调整机构调整所述气密空间内的压力；以及倾斜机构，该倾斜机构使所述掩膜支架倾斜为规定的角度，在利用该倾斜机构使所述掩膜支架倾斜了规定的角度的状态下，利用所述压力调整机构调整所述气密空间内的压力之后，利用所述倾斜机构使所述掩膜支架恢复至原先的角度，进行曝光。

上述结构中，具有调整气密空间内的压力的压力调整机构，以及使掩膜支架倾斜为规定的角度的倾斜机构，在利用倾斜机构使掩膜支架倾斜了规定的角度的状态下，利用压力调整机构调整气密空间内的压力之后，利用倾斜机构使掩膜支架恢复至原先的角度，进行曝光。由此，在掩膜支架倾斜的状态下，例如通过调整气密空间内的压力使曝光时掩膜支架的形状的位移接近0，从而能矫正由光学板的自重所产生的弯曲，能使曝光时的光学板和工件的间隔保持恒定。由此，掩膜图案的曝光精度升高，能实现完成品质的提高。

另外，优选地，本发明涉及的曝光装置，包括位移检测器，该位移检测器检测所述光学板的形状的位移，利用该位移检测器事先检测曝光时所述光学板的形状的位移，在利用所述倾斜机构使所述掩膜支架倾斜时，所述压力调整机构调整所述气密空间内的压力，使利用所述位移检测器检测到的所述光学板的形状的位移减少。

上述结构中，由于在掩膜支架倾斜时，调整气密空间内的压力，使事先检测到的曝光时光学板的形状的位移减少，因此能减小曝光时光学板的形状的位移，能使曝光时的光学板和工件的间隔保持恒定。由此，掩膜图案的曝光精度升高，能实现完成品质的提高。

另外，优选地，本发明涉及的曝光装置，事先对所述掩膜支架的倾斜角度和使曝光时所述光学板的形状的位移接近0的所述气密空间内的压力的关系进行储存，所述压力调整机构，基于储存的关系，对所述气密空间内的压力进行调整，使曝光时所述光学板的形状的位移接近0。