[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置

说明书

本发明的基板处理方法包括：基板旋转步骤，使基板围绕规定的铅垂轴线以第一旋转速度旋转；液密状态形成步骤，与所述基板旋转步骤并行执行，一边使第一相向面隔开规定的第一间隔与正在旋转的所述基板的下表面相向，一边从与所述基板的下表面相向的下表面喷嘴的处理液喷出口喷出处理液，利用处理液使所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间形成液密状态；液密状态解除步骤，在所述液密状态形成步骤后，通过使所述基板的下表面与所述第一相向面彼此远离，来解除所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间的液密状态。

技术领域

本发明涉及用于处理基板的基板处理方法以及基板处理装置。在作为处理对象的基板中，例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED(FieldEmission Display：场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板和太阳能电池用基板等。

背景技术

在半导体装置或液晶显示装置的制造工序中，为了对半导体晶片或液晶显示面板用玻璃基板等基板的主面实施处理液处理，使用对基板一张张进行处理的单张式基板处理装置。单张式的基板处理装置例如具有将基板保持为大致水平姿势且使基板旋转的旋转卡盘和被旋转卡盘保持的向基板的下表面供给处理液的中心轴喷嘴。

例如，下述专利文献1在图7以及图8中公开了一种基板处理装置，其具有下表面处理配管和与基板的下表面相向配置的圆板状的相向板，该下表面处理配管具有用于向被旋转卡盘保持的基板的下表面供给处理液的下表面喷出口。在相向板配置在与基板的下表面接近的接近位置的状态下，从下表面喷出口喷出处理液。由此，在基板的下表面与相向板的基板相向面之间以液密状态(liquid tight state)保持处理液。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2010-238781号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，在专利文献1中，在经过对基板的处理时间后，还在基板的下表面保持有处理液的液膜，由此，存在基板的下表面上的处理液处理继续进行的问题。即，为了除去在基板的下表面保持的液膜需要规定的时间，因此基板的下表面可能被处理而超过所希望的处理量，结果，有时不能够对基板的下表面实施良好的处理液处理。

因此，本发明的目的在于提供一种能够降低处理液的消耗量且对基板的下表面良好地实施处理液处理的基板处理方法以及基板处理装置。

用于解决问题的手段

本发明的第一方面提供一种基板处理方法，包括：基板旋转步骤，使基板围绕规定的铅垂轴线以第一旋转速度旋转；液密状态形成步骤，与所述基板旋转步骤并行执行，一边使第一相向面隔开规定的第一间隔地与正在旋转的所述基板的下表面相向，一边从与所述基板的下表面相向的下表面喷嘴的处理液喷出口喷出处理液，利用处理液使所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间形成液密状态；以及液密状态解除步骤，在所述液密状态形成步骤后，通过使所述基板的下表面与所述第一相向面彼此远离，来解除所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间的液密状态。

根据该方法，在液密状态形成步骤中，向基板的下表面与第一相向面之间供给处理液。由此，基板的下表面与第一相向面之间的空间形成液密状态。所述空间的液密状态能够通过小流的处理液实现。结果，能够降低处理液的消耗量。

另外，在液密状态解除步骤中，通过使基板的下表面与第一相向面彼此远离，能够瞬间解除所述空间的液密状态。由此，在液密状态解除步骤后，处理液不与基板的下表面接触，结果，能够阻止处理液处理在基板的下表面进行。由此，能够将处理液处理保持为所期望的处理量。由此，提供一种能够降低处理液的消耗量且良好地对基板的下表面实施处理液处理的基板处理方法。