[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，

包括：

基板旋转步骤，使基板围绕规定的铅垂轴线以第一旋转速度旋转；

液密状态形成步骤，与所述基板旋转步骤并行执行，一边使第一相向面隔开规定的第一间隔地与正在旋转的所述基板的下表面相向，一边从与所述基板的下表面相向的下表面喷嘴的处理液喷出口喷出处理液，利用处理液使所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间形成液密状态；以及

液密状态解除步骤，在所述液密状态形成步骤后，通过使所述基板的下表面与所述第一相向面彼此远离，来解除所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间的液密状态；

高速旋转处理步骤，该高速旋转处理步骤在所述液密状态形成步骤之前执行，在该高速旋转处理步骤中，一边以比所述第一旋转速度快的第二旋转速度使所述基板旋转一边向该基板的下表面供给处理液，

所述液密状态形成步骤在所述高速旋转处理步骤结束后与所述高速旋转处理步骤连续地开始执行。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述第一相向面呈圆板状，所述第一相向面的外周端位于所述基板的下表面的基板周端的外侧。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，在所述液密状态形成步骤中，所述第一相向面以及具有所述处理液喷出口的所述下表面喷嘴的第二相向面配置在同一平面上。

4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

所述液密状态形成步骤具有：

液柱形成步骤，在使所述下表面喷嘴与所述基板的下表面的中心附近相向的状态下，从所述处理液喷出口喷出处理液，在该第一相向面与所述基板的下表面之间形成液柱；以及

液柱扩大步骤，对该液柱形成步骤中形成的所述液柱进一步喷出处理液，使该液柱向所述基板的周向扩大。

5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

该基板处理方法还包括上表面处理步骤，在该上表面处理步骤中，向所述基板的上表面供给处理液，利用处理液对该基板的上表面进行处理，

与所述上表面处理步骤并行执行所述液密状态形成步骤。

6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，在从所述高速旋转处理步骤进入所述液密状态形成步骤转移的时刻，降低向所述基板供给的处理液的流量。

7.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，所述处理液为蚀刻液。

8.一种基板处理装置，

具有：

基板保持旋转单元，其一边以水平姿势保持基板，一边使基板围绕规定的铅垂轴线旋转；

基板相向板，其具有与借助所述基板保持旋转单元进行旋转的所述基板的下表面相向的第一相向面；

相向板升降单元，其使所述基板相向板升降；

下表面喷嘴，其具有与所述基板的下表面相向的处理液喷出口，用于向所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间供给处理液；

处理液供给单元，其向所述下表面喷嘴供给处理液；

液密控制单元，其执行液密状态形成步骤，在该液密状态形成步骤中，该液密控制单元控制所述基板保持旋转单元、所述相向板升降单元以及所述处理液供给单元，使所述基板以规定的第一旋转速度旋转，使所述第一相向面隔开规定的第一间隔与所述基板的下表面相向，且从所述处理液喷出口喷出处理液，利用处理液使所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间形成液密状态；以及

液密解除控制单元，其在所述液密状态形成步骤执行结束后，控制所述相向板升降单元，从正在执行所述液密状态形成步骤的状态使所述基板的下表面与所述第一相向面彼此远离，解除所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间的液密状态，

所述基板处理装置执行高速旋转处理步骤，该高速旋转处理步骤在所述液密状态形成步骤之前执行，在该高速旋转处理步骤中，所述基板处理装置控制所述基板保持旋转单元，一边以比所述第一旋转速度快的第二旋转速度使所述基板旋转一边向该基板的下表面供给处理液，

所述液密控制单元在所述高速旋转处理步骤结束后与所述高速旋转处理步骤连续地开始执行所述液密状态的形成。