[发明专利]成像元件、成像设备以及生产设备和方法有效
申请号: | 201480046376.4 | 申请日: | 2014-08-15 |
公开(公告)号: | CN105556671B | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 岩崎正则 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L31/02;H04N5/374 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 付生辉;张雪梅 |
地址: | 日本国东*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 元件 设备 以及 生产 方法 | ||
本公开涉及图像拾取设备、图像拾取装置、以及生产装置和方法,凭借该生产装置和方法,可以改善对有机膜的保护性能。根据本公开的图像拾取设备包括:光电转换设备,其对从外部进入的入射光进行光电转换,有机膜,其通过被层压在该光电转换设备的光入射表面侧而形成,以及无机膜,其通过被层压在该有机膜的光入射表面和侧表面上而形成,且密封该有机膜,该有机膜的该侧表面倾斜一角度,在该角度下,通过被层压在该侧表面上而形成的该无机膜的厚度成为预定的厚度。本公开可应用于图像拾取设备、图像拾取装置、图像拾取设备的生产装置,等等。
技术领域
本公开涉及图像拾取设备、图像拾取装置、以及生产装置和方法,更具体地,涉及图像拾取设备、图像拾取装置、以及生产装置和方法,凭借该生产装置和方法,可以改善对有机膜的保护性能。
背景技术
自从过去以来,已存在通过化学气相沉积(CVD)或蒸汽沉积而在由有机材料形成的滤光层(有机膜)的表面沉积用于防止湿气渗入的无机膜的方法,该滤光层设置在光电转换设备上(见例如专利文献1和2)。
专利文献1:日本专利申请特开号Sho 60-247202
专利文献2:日本专利申请特开号Hei 5-283668
发明内容
本发明要解决的问题
然而,在相关技术的方法中,由于该滤光层的侧表面变得基本竖直于该膜,从而难以将该无机膜沉积在该滤光层的侧表面上。因此,该滤光层的侧表面露在外面,从而,担心湿气等从那个部分渗入该滤光层(有机膜)中,造成该滤光层(有机膜)的劣化。
例如,专利文献1的图2示出一种状态,其中,在作为有机膜的彩色层的侧表面上形成保护膜,但是该保护膜需要有一定量的厚度来获得抑制湿气等的渗入的效果。然而,在实际中,如上所述,担心难以通过CVD或蒸汽沉积而在竖直的侧表面上沉积无机膜,从而不能形成具有足够厚度的保护膜,且湿气等从那个部分渗入该彩色层(有机膜)中,造成该彩色层(有机膜)的劣化。
此外,例如,专利文献2的图1和2示出一种状态,其中,在作为有机膜的夹层膜等之上层压保护膜。然而,由于竖直的侧表面是露出的,湿气等从作为有机膜的该夹层膜的侧表面渗入,造成该夹层膜的劣化。
考虑上述情形,已作出本公开,且其旨在改善对有机膜的保护性能。
用于解决问题的手段
根据本公开的一个方面,提供了一种图像拾取设备,其包括:光电转换设备,其对从外部进入的入射光进行光电转换,有机膜,其通过被层压在该光电转换设备的光入射表面侧而形成,以及无机膜,其通过被层压在该有机膜的光入射表面和侧表面上而形成,且密封该有机膜,该有机膜的该侧表面倾斜一角度,在该角度下,通过被层压在该侧表面上而形成的该无机膜的厚度成为预定的厚度。
该无机膜可以是抑制湿气或氧或它们两者的渗入的保护膜,且该有机膜的侧表面可以倾斜一角度,在该角度下通过被层压在该侧表面上而形成的无机膜的厚度成为这样的厚度:凭借该厚度,可以获得作为保护膜的足够效果。
在该有机膜的周边部分中,该无机膜还可以通过被层压在与光入射表面相对的有机膜的表面上,或是被层压在更多地形成在该光入射表面的对侧的层上,而非被层压在与该有机膜的与该光入射表面相对的表面相接触的层上而形成。
该图像拾取设备还可以包括肋条(rib),这些肋条通过被层压在该无机膜的光入射表面上而形成。
该图像拾取设备还可以包括由玻璃或树脂形成的透明层,该透明层通过被层压在该无机膜的光入射表面上和肋条上而形成。
该无机膜还可以通过被层压在与该光入射表面相对的有机膜表面上而形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480046376.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的