[发明专利]成像元件、成像设备以及生产设备和方法有效
申请号: | 201480046376.4 | 申请日: | 2014-08-15 |
公开(公告)号: | CN105556671B | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 岩崎正则 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L31/02;H04N5/374 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 付生辉;张雪梅 |
地址: | 日本国东*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 元件 设备 以及 生产 方法 | ||
1.一种图像拾取设备,包括:
光电转换设备,其对从外部进入的入射光进行光电转换;
有机膜,其通过被层压在所述光电转换设备的光入射表面侧上而形成;以及
无机膜,其通过被层压在所述有机膜的光入射表面和侧表面上而形成,且密封所述有机膜,
其中,存在平整膜,所述平整膜邻近所述有机膜的与所述光入射表面相对的表面,
所述有机膜的所述侧表面被倾斜一角度,在所述角度下,通过被层压在所述侧表面上而形成的所述无机膜的厚度成为预定的厚度。
2.根据权利要求1所述的图像拾取设备,其中:
所述无机膜为保护膜,其抑制湿气或氧或它们两者的渗入;以及
所述有机膜的所述侧表面被倾斜一角度,在所述角度下,通过被层压在所述侧表面上而形成的所述无机膜的厚度成为能够借以获得作为所述保护膜的足够效果的厚度。
3.根据权利要求2所述的图像拾取设备,
其中,在所述有机膜的周边部分中,所述无机膜进一步通过被层压在与所述有机膜的与所述光入射表面相对的表面接触的层上,或是被层压在更多地形成于所述光入射表面的对侧的层上,而非与所述有机膜的与所述光入射表面相对的表面接触的层上而形成。
4.根据权利要求3所述的图像拾取设备,还包括:
肋条,其通过被层压在所述无机膜的光入射表面上而形成。
5.根据权利要求4所述的图像拾取设备,进一步包括:
透明层,其由玻璃或树脂形成,且通过被层压在所述无机膜的光入射表面和所述肋条上而形成。
6.根据权利要求1所述的图像拾取设备,
其中所述无机膜还进一步通过被层压在所述有机膜的与所述光入射表面相对的表面上而形成。
7.根据权利要求1所述的图像拾取设备,其中:
形成所述无机膜,使得构造出具有不同折射率的多个层;以及所述有机膜的所述侧表面被倾斜一角度,在所述角度下,通过被层压在所述侧表面上而形成的所述无机膜的厚度成为透射预定波长范围的入射光的厚度,或是成为抑制所述预定波长范围的入射光的透射的厚度。
8.根据权利要求7所述的图像拾取设备,
其中通过被层压在所述有机膜的光入射表面上而形成的所述无机膜的透射波长特性不同于通过被层压在所述有机膜的所述侧表面上而形成的无机膜的透射波长特性。
9.根据权利要求8所述的图像拾取设备,其中:
通过被层压在所述有机膜的光入射表面上而形成的无机膜透射由所述光电转换设备进行光电转换的波长范围;以及
通过被层压在所述有机膜的所述侧表面上而形成的无机膜抑制由所述光电转换设备进行光电转换的所述波长范围的透射。
10.根据权利要求8所述的图像拾取设备,其中:
通过被层压在所述有机膜的光入射表面上而形成的无机膜透射波长范围的可见光;以及
通过被层压在所述有机膜的所述侧表面上而形成的无机膜抑制所述波长范围的可见光的透射。
11.根据权利要求7所述的图像拾取设备,其中通过被层压在所述有机膜的光入射表面上而形成的所述无机膜的厚度与通过被层压在所述有机膜的所述侧表面上而形成的所述无机膜的厚度不同。
12.根据权利要求11所述的图像拾取设备,其中通过被层压在所述有机膜的所述侧表面上而形成的所述无机膜的厚度与通过被层压在所述有机膜的光入射表面上而形成的所述无机膜的厚度之比等于或小于透过通过被层压在所述有机膜的光入射表面上而形成的所述无机膜的波长范围的下限与所述波长范围的上限之比。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480046376.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的