[发明专利]用于解决电迁移的布局构造

说明书

一互连层面上的第一互连将CMOS器件的第一PMOS漏极子集连接在一起。该互连层面上的第二互连将第二PMOS漏极子集连接在一起。第二PMOS漏极子集不同于第一PMOS漏极子集。第一互连和第二互连在该互连层面上断开。该互连层面上的第三互连将CMOS器件的第一NMOS漏极子集连接在一起。该互连层面上的第四互连将第二NMOS漏极子集连接在一起。第二NMOS漏极子集不同于第一NMOS漏极子集。第三互连和第四互连在该互连层面上断开。第一、第二、第三和第四互连通过至少一个其它互连层面耦合在一起。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年8月23日提交的题为“LAYOUT CONSTRUCTION FORADDRESSING ELECTROMIGRATION(用于解决电迁移的布局构造)”的美国非临时申请S/N.13/975,074的优先权，其通过援引全部明确纳入于此。

背景

领域

本公开一般涉及布局构造，尤其涉及用于解决互补金属氧化物半导体(CMOS)器件中的电迁移(EM)的布局构造。

背景技术

EM是因导电电子与漫射金属原子之间的动量传递而引起的离子在导体中的渐进式运动。EM可导致连接的最终丢失或者集成电路(IC)的故障，并由此降低IC的可靠性。相应地，需要布局CMOS器件以便解决EM的方法。进一步，需要具有用于解决EM的布局构造的CMOS器件。

概述

在本公开的一方面，提供了一种CMOS器件，该CMOS器件包括各自具有p型金属氧化物半导体(PMOS)漏极的多个PMOS晶体管以及各自具有n型金属氧化物半导体(NMOS)漏极的多个NMOS晶体管。该CMOS器件包括在一互连层面上将这些PMOS漏极的第一PMOS漏极子集连接在一起的第一互连。该CMOS器件进一步包括在该互连层面上将这些PMOS漏极的第二PMOS漏极子集连接在一起的第二互连。第二PMOS漏极子集不同于第一PMOS漏极子集。第一互连和第二互连在第一互连层面上断开。该CMOS器件进一步包括在该互连层面上将这些NMOS漏极的第一NMOS漏极子集连接在一起的第三互连。该CMOS器件进一步包括在该互连层面上将这些NMOS漏极的第二NMOS漏极子集连接在一起的第四互连。第二NMOS漏极子集不同于第一NMOS漏极子集。第三互连和第四互连在该互连层面上断开。第一互连、第二互连、第三互连和第四互连通过至少一个其它互连层面耦合在一起。

在本公开的一方面，提供了一种布局CMOS器件的方法，该CMOS器件包括各自具有PMOS漏极的多个PMOS晶体管以及各自具有NMOS漏极的多个NMOS晶体管。在一互连层面上将第一PMOS漏极子集与第一互连互连。在该互连层面上将第二PMOS漏极子集与第二互连互连。第二PMOS漏极子集在该互连层面上与第一PMOS漏极子集断开。在该互连层面上将第一NMOS漏极子集与第三互连互连。在该互连层面上将第二NMOS漏极子集与第四互连互连。第二NMOS漏极子集在该互连层面上与第一NMOS漏极子集断开。第一互连、第二互连、第三互连和第四互连通过至少一个其它互连层面耦合在一起。

在本公开的一方面中，提供了一种操作CMOS器件的方法，该CMOS器件包括各自具有PMOS漏极的多个PMOS晶体管以及各自具有NMOS漏极的多个NMOS晶体管。第一电流从在一互连层面上与第一互连互连的第一PMOS漏极子集流动。第二电流从在该互连层面上与第二互连互连的第二PMOS漏极子集流动。第二PMOS漏极子集在该互连层面上与第一PMOS漏极子集断开。第三电流向在该互连层面上与第三互连互连的第一NMOS漏极子集流动。第四电流向在该互连层面上与第四互连互连的第二NMOS漏极子集流动。第二NMOS漏极子集在该互连层面上与第一NMOS漏极子集断开。第一互连、第二互连、第三互连和第四互连通过至少一个其它互连层面耦合在一起。在CMOS器件接收到低输入之际，第一电流和第二电流通过至少一个其它互连层面流向CMOS器件的输出。在CMOS器件接收到高输入之际，第三电流和第四电流从CMOS器件的输出通过至少一个其它互连层面流动。