[发明专利]用于解决电迁移的布局构造

权利要求书

1.一种互补金属氧化物半导体CMOS器件，所述CMOS器件包括各自具有p型金属氧化物半导体PMOS漏极和PMOS栅极的多个PMOS晶体管以及各自具有n型金属氧化物半导体NMOS漏极和NMOS栅极的多个NMOS晶体管，每个PMOS栅极和NMOS栅极在第一方向延伸，所述CMOS器件包括：

在一互连层面上将所述PMOS漏极的第一子集连接在一起的第一互连，所述第一互连在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；

在所述互连层面上将所述PMOS漏极的第二子集连接在一起的第二互连，所述PMOS漏极的第二子集不同于所述PMOS漏极的第一子集，所述第一互连和所述第二互连在所述互连层面上断开，所述第二互连在所述第二方向上延伸；

在所述互连层面上将所述NMOS漏极的第一子集连接在一起的第三互连，所述第三互连在所述第二方向上延伸；以及

在所述互连层面上将所述NMOS漏极的第二子集连接在一起的第四互连，所述第四互连在所述第二方向上延伸，所述NMOS漏极的第二子集不同于所述NMOS漏极的第一子集，所述第三互连和所述第四互连在所述互连层面上断开，其中在所述互连层面上将PMOS漏极耦合在一起的所述第一互连和所述第二互连以及在所述互连层面上将NMOS漏极耦合在一起的所述第三互连和所述第四互连通过至少一个其它互连层面耦合在一起。

2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一互连、所述第二互连、所述第三互连和所述第四互连在长度上各自小于2μm。

3.如权利要求1所述的器件，其特征在于，进一步包括：

第二互连层面上的第五互连，所述第五互连将所述第一互连和所述第二互连耦合在一起；以及

第二互连层面上的第六互连，所述第六互连将所述第三互连和所述第四互连耦合在一起。

4.如权利要求3所述的器件，其特征在于，所述第五互连和所述第六互连在长度上各自小于2μm。

5.如权利要求3所述的器件，其特征在于，进一步包括第三互连层面上的第七互连，所述第七互连将所述第五互连和所述第六互连耦合在一起。

6.如权利要求5所述的器件，其特征在于，所述器件的输出连接至所述第七互连。

7.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述CMOS器件是反相器，所述PMOS晶体管各自具有PMOS源极，所述NMOS晶体管各自具有NMOS源极，所述NMOS晶体管的NMOS源极耦合在一起，所述PMOS晶体管的PMOS源极耦合在一起，所述PMOS晶体管的PMOS栅极和所述NMOS晶体管的NMOS栅极耦合在一起。

8.如权利要求1所述的器件，其特征在于，进一步包括：

在所述互连层面上将所述PMOS漏极的不同子集连接在一起的第一组互连，所述第一组互连包括所述第一互连、所述第二互连、以及一个或多个附加互连，所述第一组互连中的每一个互连在所述互连层面上与所述第一组互连中的其它互连断开；以及

在所述互连层面上将所述NMOS漏极的不同子集连接在一起的第二组互连，所述第二组互连包括所述第三互连、所述第四互连、以及一个或多个附加互连，所述第二组互连中的每一个互连在所述互连层面上与所述第二组互连中的其它互连断开。

9.如权利要求8所述的器件，其特征在于，所述第一组互连和所述第二组互连中的每一个互连在长度上小于2μm。

10.如权利要求8所述的器件，其特征在于，进一步包括：

第二互连层面上的第三组互连，所述第三组互连中的每一个互连将所述第一组互连中的不同的毗邻互连对耦合在一起；以及

所述第二互连层面上的第四组互连，所述第四组互连中的每一个互连将所述第二组互连中的不同的毗邻互连对耦合在一起。

11.如权利要求10所述的器件，其特征在于，所述第三组互连和所述第四组互连中的每一个互连在长度上小于2μm。