[发明专利]阵列基板、辐射检测器以及配线基板有效

申请号：	201480045869.6	申请日：	2014-08-25
公开（公告）号：	CN105474395B	公开（公告）日：	2018-06-12
发明（设计）人：	泷川达也;榛叶勇一	申请（专利权）人：	东芝电子管器件株式会社
主分类号：	H01L27/146	分类号：	H01L27/146;G01T1/20;G01T7/00;H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/822;H01L23/522;H01L27/04;H01L27/144;H01L29/786;H01L31/10;H04N5/32
代理公司：	上海专利商标事务所有限公司 31100	代理人：	侯颖媖
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	配线基板保护层方向延伸阵列基板外围薄膜晶体管辐射检测器导电材料方向交叉配线基板平面视角电连接覆盖高抗
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【说明书】：

根据本实施例，一种阵列基板包括：基板；多个第一配线，设置在该基板的表面上并沿第一方向延伸；多个第二配线，设置在该基板的表面上并沿与该第一方向交叉的第二方向延伸；薄膜晶体管，设置在由该多个第一配线和该多个第二配线所限定的多个区域中的每一个中；保护层，至少覆盖该多个第一配线和该多个第二配线；以及多个连接部，设置在以下区域中的至少一个中：该保护层上的区域、该多个第一配线与该基板之间的区域以及该多个第二配线与该基板之间的区域，这些连接部与该多个第一配线和该多个第二配线中的每一个电连接并包含比该多个第一配线和该多个第二配线的材料具有更高抗蚀性的导电材料。该多个第一配线和该多个第二配线在该基板的外围侧上的端面覆盖有该保护层，并且该连接部在基板的外围侧上的端面在平面视角上位于该基板的外围。

技术领域

本发明的实施例涉及阵列基板、辐射检测器和配线基板。

背景技术

配线基板可设置有一些电路元件，这些电路元件对静电的抗性较低。例如，诸如TFT(薄膜晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)之类的半导体元件以及诸如光电二极管之类的光电转换元件通常对静电的抗性较低。因此，制造设置有例如对静电的抗性较低的电路元件的配线基板需要耗散在制造过程期间产生的静电。例如，外短环(outer short ring)设置在设置有电路元件的区域周围，使得在制造过程期间产生的静电通过外短环释放。

阵列基板是设置有大量电路元件的配线基板的示例。

例如，设置在平板显示器中的阵列基板包括大量薄膜晶体管。

设置在辐射检测器中的阵列基板包括大量薄膜晶体管和大量光电二极管。

同样在制造这种阵列基板时使用环绕设置有薄膜晶体管和光电二极管的区域的外短环。

这里，当制造配线基板或阵列基板时需要外短环。然而，外短环不能留在完成的配线基板或阵列基板中。

因此，在制造过程期间切断外短环。

在切断外短环之后，导电部件(诸如连接至外短环的配线和电极)的端面在切断面(即基板的外围)处暴露。

通常，导电部件是由诸如铝和铬之类的低电阻金属形成的。因此，当电流流动时发生腐蚀。腐蚀的进行可导致线缺陷。尤其，水的介入促进腐蚀反应的进行。例如，由于腐蚀导致的线缺陷更可能发生在结露-冷凝环境中。

此外，导电部件的材料可因腐蚀而被电离并且附连到导电部件的暴露端面。如果电离的材料附连到导电部件的端面，那么在相邻的导电部件之间可发生泄漏。

在此情况下，可通过控制环境的温度和湿度来抑制腐蚀。然而，这招致设备尺寸扩大以及成本增加。

引用列表

专利文献