[发明专利]阵列基板、辐射检测器以及配线基板有效
申请号: | 201480045869.6 | 申请日: | 2014-08-25 |
公开(公告)号: | CN105474395B | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 泷川达也;榛叶勇一 | 申请(专利权)人: | 东芝电子管器件株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01T1/20;G01T7/00;H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/822;H01L23/522;H01L27/04;H01L27/144;H01L29/786;H01L31/10;H04N5/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 配线 基板 保护层 方向延伸 阵列基板 外围 薄膜晶体管 辐射检测器 导电材料 方向交叉 配线基板 平面视角 电连接 覆盖 高抗 | ||
1.一种阵列基板,包括:
基板;
多个第一配线,设置在所述基板的表面上并且沿第一方向延伸;
多个第二配线,设置在所述基板的表面上并且沿着与所述第一方向相交的第二方向延伸;
薄膜晶体管,设置在所述多个第一配线和所述多个第二配线所限定的多个区域的每一个中;
保护层,至少覆盖所述多个第一配线和所述多个第二配线;以及
多个连接部,经由延伸部连接至外短环,设置在以下区域的至少一个中:所述保护层上的区域、所述多个第一配线和所述基板之间的区域以及所述多个第二配线与所述基板之间的区域,所述多个连接部电连接至所述多个第一配线与所述多个第二配线中的每一个并且包括比所述多个第一配线和所述多个第二配线的材料具有更高抗蚀性的导电材料,
所述多个第一配线和所述多个第二配线在所述基板的外围侧上的端面覆盖有所述保护层,以及
所述连接部在所述基板的外围侧上的端面在平面视角上位于所述基板的外围。
2.如权利要求1所述的基板,其特征在于,所述连接部包括氧化物导电材料和防腐蚀金属中的至少一个。
3.如权利要求1或2所述的基板,其特征在于,所述连接部包括从由ITO、IZO、ZnO、Sn2O3:Sb、Sn2O3:F、IGZO和金(Au)构成的组中选择的至少一个。
4.如权利要求1所述的基板,其特征在于,至少在所述基板的外围附近的所述保护层的区域包括氧化物绝缘材料、氮化物绝缘材料和氮氧化物绝缘材料中的至少一个。
5.一种辐射检测器,包括:
如权利要求1所述的阵列基板;
光电转换元件,设置在由所述阵列基板的所述多个第一配线和所述多个第二配线所限定的多个区域的每一个中;以及
闪烁体,设置在所述光电转换元件上。
6.一种配线基板,包括:
基板;
配线,设置在所述基板的表面上;
电路元件,电连接至所述配线;
保护层,至少覆盖所述配线;以及
连接部,经由延伸部连接至外短环,设置在所述保护层上的区域、所述配线与所述基板之间的区域的至少一个中,所述连接部电连接至所述配线并且包括比所述配线的材料具有更高抗蚀性的导电材料,
所述配线在所述基板的外围侧上的端面覆盖有所述保护层,以及
所述连接部在所述基板的外围侧上的端面在平面视角上位于所述基板的外围。
7.如权利要求6所述的基板,其特征在于,所述连接部包括氧化物导电材料和防腐蚀金属中的至少一个。
8.如权利要求6所述的基板,其特征在于,所述连接部包括从由ITO、IZO、ZnO、Sn2O3:Sb、Sn2O3:F、IGZO和金(Au)构成的组中选择的至少一个。
9.如权利要求6所述的基板,其特征在于,至少在所述基板的外围附近的所述保护层的区域包括氧化物绝缘材料、氮化物绝缘材料和氮氧化物绝缘材料中的至少一个。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝电子管器件株式会社,未经东芝电子管器件株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480045869.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置
- 下一篇:用于解决电迁移的布局构造
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的