[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及基板处理系统有效
申请号: | 201480045393.6 | 申请日: | 2014-07-10 |
公开(公告)号: | CN105474356B | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 高木克明;佐野诚一郎;内田雄三;山中智史 | 申请(专利权)人: | 株式会社思可林集团 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;G05B19/418 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 宋晓宝,向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 以及 系统 | ||
1.一种基板处理装置,与中间装置连接,该中间装置在对基板进行处理的第一基板处理装置的外部直接支撑由所述第一基板处理装置处理过的基板的状态下,搬送该基板,其特征在于,
该基板处理装置包括:
多个第二加载口,分别保持能够容纳多张基板的多个运送器,
直接搬入口,接受从所述中间装置搬入的基板,
多个第二处理单元,对从所述多个第二加载口以及所述直接搬入口中的至少一方搬送来的基板进行处理,
第二搬送单元,在所述多个第二加载口、所述直接搬入口和所述多个第二处理单元之间搬送基板,
第二控制装置,对所述基板处理装置进行控制;
所述第二控制装置执行:
第一步骤,作成第一计划,该第一计划包括第一搬入工序、第一处理工序和第一搬出工序,在所述第一搬入工序中,使所述第二搬送单元将基板从所述多个第二加载口向所述多个第二处理单元搬送,在所述第一处理工序中,使所述多个第二处理单元对搬送到所述多个第二处理单元的基板进行处理,在所述第一搬出工序中,使所述第二搬送单元将由所述多个第二处理单元处理过的基板从所述多个第二处理单元向所述多个第二加载口搬送;
第二步骤,作成第二计划,该第二计划包括第二搬入工序、第二处理工序、以及第二搬出工序,所述第二搬入工序、所述第二处理工序、以及所述第二搬出工序中的至少一个与所述第一搬入工序、第一处理工序、以及第一搬出工序中的至少一个同时执行,在所述第二搬入工序中,使所述第二搬送单元将由所述第一基板处理装置处理过的基板从所述直接搬入口向所述多个第二处理单元搬送,在所述第二处理工序,使所述多个第二处理单元对搬送到所述多个第二处理单元的基板进行处理,在所述第二搬出工序中,使所述第二搬送单元将由所述多个第二处理单元处理过的基板从所述多个第二处理单元向所述多个第二加载口搬送;
第三步骤,判断所述第二计划所计划的基板的处理开始预想时刻是否在应该由所述基板处理装置对由所述第一基板处理装置处理过的基板进行处理的处理开始期限以前;
第四步骤,在所述第三步骤中所述处理开始预想时刻在所述处理开始期限之后的情况下,以所述处理开始预想时刻变为所述处理开始期限以前的方式变更所述第一计划以及第二计划,使所述基板处理装置执行变更后的所述第一计划以及第二计划;
第五步骤,在所述第三步骤中所述处理开始预想时刻在所述处理开始期限以前的情况下,不变更所述第一计划以及第二计划而使所述基板处理装置执行所述第一计划以及第二计划。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第二步骤是在由所述第一基板处理装置处理过的基板到达所述中间装置后作成所述第二计划的步骤。
3.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板处理装置还包括使基板退避的退避单元,
所述第四步骤是如下步骤,即,在所述第三步骤中所述处理开始预想时刻在所述处理开始期限之后的情况下,以基板从所述多个第二加载口经由所述退避单元搬送到所述多个第二处理单元的方式变更所述第一计划,并且以将从所述直接搬入口搬入的基板搬入到预定以变更前的所述第一计划对基板进行处理的所述第二处理单元的方式变更所述第二计划,由此,以所述处理开始预想时刻变为所述处理开始期限以前的方式使所述处理开始预想时刻提前,使所述基板处理装置执行变更后的所述第一计划以及第二计划。
4.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第二控制装置还执行第六步骤,根据检查单元的检查结果设定基板处理条件,该检查单元在由所述第一基板处理装置处理过的基板搬入所述基板处理装置之前检查该基板,
所述第二步骤是以在所述第二处理工序中以所述基板处理条件对基板进行处理的方式作成所述第二计划的步骤。
5.如权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第六步骤是根据在所述第一基板处理装置以及中间装置中的一方设置的所述检查单元的检查结果来设定所述基板处理条件的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造