[发明专利]用于制造覆盖元件和光电子组件的方法、覆盖元件和光电子组件有效
申请号: | 201480043437.1 | 申请日: | 2014-07-30 |
公开(公告)号: | CN105453281B | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | T.格布尔;M.布尔格;I.斯托尔 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L33/48 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 卢江;张涛 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 覆盖 元件 光电子 组件 方法 | ||
本发明涉及用于制造用于光电子组件(100、200)的覆盖元件(10、20)的方法,包括下列步骤:制造具有多个开口(310)的框(300),将转换器材料(400)引入到多个开口(310)中,以及分割所述框(300)。
技术领域
本发明涉及如在专利权利要求1中所述的用于制造覆盖元件的方法,涉及如在专利权利要求15中所述的用于制造光电子组件的方法,以及涉及如在专利权利要求17中所述的光电子组件。
背景技术
本专利申请要求德国专利申请10 2013 214 877.1的优先权,所述德国专利申请的公开内容在此通过引用被合并。
从现有技术中已知用于白光或其它颜色的光的发射的光电子组件、例如发光二极管组件。已知给这样的光电子组件配备光电子半导体芯片、例如发光二极管芯片,所述光电子半导体芯片被用于具有第一波长的电磁辐射的发射,例如被用于具有在蓝色光谱范围中的波长的电磁辐射的发射。附加地,这样的光电子组件具有转换器元件,所述转换器元件是用来转换由光电子半导体芯片发射的电磁辐射的一部分的波长。为了这个目的,转换器元件具有波长转换粒子,所述波长转换粒子被配置以便吸收具有第一波长的电磁辐射以及随后发射具有典型地更长的第二波长的电磁辐射。波长转换粒子一般被嵌入到转换器元件的基质材料中,例如被嵌入到硅树脂或者陶瓷中。
已知在这样的光电子组件中把光电子半导体芯片和被布置在光电子半导体芯片的辐射发射表面上的转换器元件嵌入到光学反射封装材料中,所述封装材料覆盖光电子半导体芯片的侧表面以及转换器元件的侧表面。封装材料例如可以包括具有所嵌入的散射粒子的硅树脂。为了阻止以封装材料对转换器元件的被用作光出射表面的上侧的污染,有必要给转换器元件配置基本上垂直的侧表面以及锐利的外边缘。这些要求在具有基于硅树脂的基质材料的转换器元件的情况下是难以满足的。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种用于制造用于光电子组件的覆盖元件的方法。该目的通过具有权利要求1的特征的方法实现。本发明的另一个目的是提供一种用于制造光电子组件的方法。该目的通过具有权利要求15的特征的方法实现。本发明的另一个目的是提供一种光电子组件。该目的通过具有权利要求17的特征的光电子组件实现。各种改进方案在从属权利要求中详细说明。
用于制造用于光电子组件的覆盖元件的方法包括以下步骤:制造具有多个开口的框,将材料引入到多个开口中,以及分割所述框。有利地,通过该方法可以在共同的工作步骤中同时制造多个覆盖元件。该方法因此允许覆盖元件的经济的大量制造。在该情况下,各个覆盖元件通过框的分割来个体化。由于框的分割允许基本上垂直的切割表面和锐利的边缘的生成,通过所述方法获得的覆盖元件可以有利地具有基本上垂直的侧表面以及锐利的外边缘。
在所述方法的一个实施例中,通过注射模制或传递模制来制造框。作为替代,框也可以通过另外的模制过程来制造。有利地,所述方法因此允许经济地以及高度可复制地制造框。
在所述方法的一个实施例中,框由包括硅树脂或者环氧树脂的基质材料制成。有利地,这些材料是经济上可用的并且具有合适的材料特性。
在所述方法的一个实施例中,框由具有嵌入的TiO2、ZrO2、Al2O3、AlN、SiO2的粒子、或者另外的光学反射材料、和/或嵌入的有色的颜料的材料制成。有利地,因此可以将白色以及光学反射外观或者有色外观给予框。附加地,框也可以具有波长转换特性或者具有与被引入到框的开口中的材料类似的外观。
在所述方法的一个实施例中,材料通过平刮(blading)、喷射或配发被引入到开口中。有利地,这允许所述方法以经济以及可复制的方式被执行。
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