[发明专利]用于制造覆盖元件和光电子组件的方法、覆盖元件和光电子组件有效
申请号: | 201480043437.1 | 申请日: | 2014-07-30 |
公开(公告)号: | CN105453281B | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | T.格布尔;M.布尔格;I.斯托尔 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L33/48 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 卢江;张涛 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 覆盖 元件 光电子 组件 方法 | ||
1.用于制造用于光电子组件(100、200)的覆盖元件(10、20)的方法,具有下列步骤:
- 制造具有多个开口(310)的框(300),其中所述框(300)由具有嵌入的TiO2、ZrO2、Al2O3、AlN、SiO2的粒子、或者另外的光学反射材料和/或嵌入的有色的颜料的材料制成;
- 将材料(400)引入到多个开口(310)中;
- 分割所述框(300),
其中分割所述框(300),使得形成分别具有恰好一个开口(310)的部分(500),
其中在所述框(300)的分割之前,针对多个开口(310)分割被引入到所述开口(310)中的材料(400)。
2.如在权利要求1中所述的方法,
其中所述框(300)通过注射模制或者传递模制来制造。
3.如在权利要求1中所述的方法,
其中所述框(300)由包括硅树脂或者环氧树脂的基质材料制成。
4.如在权利要求1中所述的方法,
其中所述材料(400)通过平刮、喷射或者配发被引入到所述开口(310)中。
5.如在权利要求1中所述的方法,
其中所述材料(400)具有被嵌入的波长转换粒子。
6.如在权利要求1中所述的方法,
其中所述开口(310)被分别形成为具有基本上矩形的横断面。
7.如在权利要求1中所述的方法,
其中通过锯切、激光分离、切割或者冲压来执行所述框(300)的分割。
8.如在权利要求1中所述的方法,
其中制造所述框(300),使得所述开口(310)被规则地布置。
9.如在权利要求1中所述的方法,
其中分割所述框(300),使得形成具有由所述框(300)的区段(530)环形地形成边界的开口(310)的至少一个部分(500)。
10.如在权利要求1中所述的方法,
其中通过钻孔、冲压、锯切、切割、水注切割或者激光过程来执行所述材料(400)的分割。
11.如在权利要求1中所述的方法,
其中在所述材料(400)被引入之前利用等离子体来处理所述框(300)。
12.如在权利要求1中所述的方法,
其中在所述框(300)被完全硬化之前执行所述材料(400)的引入。
13.用于制造光电子组件(100、200)的方法,
具有下列步骤:
- 通过如在前述权利要求之一中所述的方法来制造覆盖元件(10、20);
- 提供光电子半导体芯片(600);
- 将所述覆盖元件(10、20)布置在所述光电子半导体芯片(600)的辐射发射表面(601)上。
14.如在权利要求13中所述的方法,
其中所述方法包括下列附加步骤:
- 将所述光电子半导体芯片(600)布置在载体(700)的表面(701)上;
- 将封装材料(800)布置在所述载体(700)的表面(701)上,使得所述光电子半导体芯片(600)的侧表面以及所述覆盖元件(10、20)的侧表面至少部分地被所述封装材料(800)覆盖。
15.光电子组件(100、200),
具有光电子半导体芯片(600),所述光电子半导体芯片具有辐射发射表面(601),
以及具有覆盖元件(10、20),所述覆盖元件被布置在所述辐射发射表面(601)上,
其中所述覆盖元件(10、20)包括恰好一个具有第一材料的第一区段(510),以及包括具有不同于所述第一材料的第二材料的第二区段(520),
其中至少所述第一材料具有嵌入的波长转换粒子,其中所述第二材料具有嵌入的TiO2、ZrO2、Al2O3、AlN、SiO2的粒子、或者另外的光学反射材料和/或嵌入的有色的颜料。
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