[发明专利]双端口存储单元

权利要求书

1.一种多端口存储器单元，其特征在于，包括：

基底；

第一和第二反相器电路，每个反相器电路包括第一类型的上拉晶体管和第二类型的下拉晶体管；

其中在每个反相器电路中：

所述上拉晶体管的栅极和所述下拉晶体管的栅极均耦接到第一节点，并且接收相同的电压电位，

所述上拉晶体管的源极和所述下拉晶体管的漏极被串联耦接，并且在所述上拉晶体管和所述下拉晶体管之间的第二节点处提供反相输出；以及

每个反相器电路的第一节点被耦接到另一个反相器电路的第二节点，以接收所述另一个反相器电路的反相输出；

第一对第一类型的存取晶体管，该对存取晶体管中的每一个存取晶体管均将其源极或漏极耦接到所述第一和第二反相器电路中各自的一个反相器电路的第一节点；以及

第二对第二类型的存取晶体管，该对存取晶体管中的每一个存取晶体管均将其源极或漏极耦接到所述第一和第二反相器电路中各自的一个反相器电路的第一节点；

其中所述上拉晶体管、下拉晶体管和存取晶体管是鳍式场效应晶体管，其由以下设置形成：

位于所述基底中的多个阱区，所述多个阱区在第一方向y上平行地延伸，所述多个阱区中的每一个阱区均具有布置在所述阱区上的各自的一组鳍结构，各自的一组鳍结构中的每个鳍结构在所述第一方向y上延伸；以及

多个栅极结构，每个栅极结构布置在多组鳍结构中的一组或多组鳍结构上方，并且在与所述第一方向y垂直的第二方向x上延伸，所述鳍结构和所述栅极结构被配置和设置为形成所述鳍式场效应晶体管，每个鳍式场效应晶体管具有源极或漏极，其被与具有与所述第一或第二类型中相同类型的鳍式场效应晶体管中的另一个鳍式场效应晶体管的源极或漏极共用；以及

其中所述第一类型的晶体管的栅极尺寸与所述第二类型的晶体管的栅极尺寸相同。

2.根据权利要求1所述的多端口存储器单元，其特征在于，所述第一对存取晶体管中的每一个存取晶体管包括的鳍结构的数量与所述第二对存取晶体管中的每一个存取晶体管中包括的鳍结构的数量相同。

3.根据权利要求1所述的多端口存储器单元，其特征在于，所述多个阱区包括不超过三个阱区。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的多端口存储器单元，其特征在于，所述第一类型是PMOS，所述第二类型是NMOS。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的多端口存储器单元，其特征在于，

所述多端口存储器单元包括偶数N对存取晶体管，其中N>2；和

所述多端口存储器单元中总共的存取晶体管包括第一数量X的p型晶体管和第二数量Y的n型晶体管，其中X＝Y。

6.根据权利要求1所述的多端口存储器单元，其特征在于，

所述多端口存储器单元包括N对存取晶体管，其中N>2；和

在所述多端口存储器单元中总共的存取晶体管包括2*(N-1)个第一类型的晶体管和两个第二类型的晶体管。

7.根据权利要求6所述的多端口存储器单元，其特征在于，所述第一类型的存取晶体管相比于所述第二类型的存取晶体管对单粒子翻转较不敏感。